Kategorie
»O MercateoWitamy! Login
Moje Mercateo
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor polowy

  Tranzystor polowy w Mercateo zakupy online (5 222 ofert spośród 4 563 872 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor polowy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor polowy"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 55A; 115W; TO220AB (1 Oferta) 
Typ tranzystora: N-MOSFET Technologia: HEXFET® Polaryzacja: unipolarny Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 55A Moc: 115W Obudowa: TO220AB Napięcie bramka-źródło: ±20V Rezystancja w stanie przewod...
INFINEON (IRF)
IRFZ44VPBF
od PLN 1,75*
za szt.
 
 szt.
J-FET małosygnałowy TO-92 N (1 Oferta) 
J-FET małosygnałowy, Biegunowość: N, Typ obudowy: TO-92, Prąd drenu: 5...15 mA, Strata mocy: 360 mW
NTE Electronics
NTE312
od PLN 6,62*
za szt.
 
 szt.
J-FET małosygnałowy TO-92 N (1 Oferta) 
J-FET małosygnałowy, Biegunowość: N, Typ obudowy: TO-92, Prąd drenu: 1...5 mA, Strata mocy: 310 mW
NTE Electronics
NTE457
od PLN 7,47*
za szt.
 
 szt.
J-FET małosygnałowy TO-92 N (1 Oferta) 
J-FET małosygnałowy, Biegunowość: N, Typ obudowy: TO-92, Prąd drenu: 0.5...12 mA, Strata mocy: 250 mW
NTE Electronics
NTE458
od PLN 33,06*
za szt.
 
 szt.
J-FET złączowe TO-92 PN (1 Oferta) 
J-FET złączowe, Biegunowość: PN, Typ obudowy: TO-92, Prąd przewodzenia: 150 mA, Strata mocy: 300 mW
NTE Electronics
NTE6402
od PLN 10,94*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N, 500 V 22 A 278 W TO-3P (1 Oferta) 
MOSFET, Temperatura pracy: -55...+150 °C, Biegunowość: N, Typ obudowy: TO-3P, Wariant: Typ wzbogacenia, Strata mocy: 278 W
NTE Electronics
NTE2970
od PLN 60,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N, 60 V 50 A 150 W TO-220 (1 Oferta) 
MOSFET, Temperatura pracy: -55...+175 °C, Biegunowość: N, Typ obudowy: TO-220, Wariant: Typ wzbogacenia, Strata mocy: 150 W
NTE Electronics
NTE2395
od PLN 19,62*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; Uds:500V; Id:24A; V1-B-Pack; 170W (1 Oferta) 
Typ modułu: tranzystorowy Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 24A Obudowa: V1-B-Pack Moc: 170W Prąd w impulsie maks.: 95A Topologia: mostek 1-fazowy di...
IXYS
VUM24-05N
od PLN 121,00*
za szt.
 
 szt.
FET małosygnałowy SC-75 P 20 V (1 Oferta) 
FET małosygnałowy, Biegunowość: P, Typ obudowy: SC-75, Wariant: Kanał P, Prąd drenu: 760 mA, Strata mocy: 301 mW
ON Semiconductor
NTA4151PT1G
od PLN 1,08*
za szt.
 
 szt.
Wzmacniacz operacyjny AD648KRZ Tranzystor polowy złączowy 1MHz SOIC, 8-Pin (1 Oferta) 
Typ wzmacniacza = Tranzystor polowy złączowy Typ montażu = Montaż powierzchniowy Typ opakowania = SOIC Typ zasilania = Podwójne Liczba kanałów na układ = 2 Liczba styków = 8 Typowa dobroć wzmacniac...
Analog Devices
AD648KRZ
od PLN 31,736*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; Uds:500V; Id:33A; V1-B-Pack; 310W (1 Oferta) 
Typ modułu: tranzystorowy Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 33A Obudowa: V1-B-Pack Moc: 310W Prąd w impulsie maks.: 130A Topologia: mostek 1-fazowy d...
IXYS
VUM33-05N
od PLN 253,64*
za szt.
 
 szt.
FET małosygnałowy SO-8 P/N 30 V (1 Oferta) 
FET małosygnałowy, Biegunowość: P/N, Typ obudowy: SO-8, Wariant: Typ wzbogacenia, Prąd drenu: 2.3...3.5 A, Strata mocy: 1 W
NXP
PHC21025
od PLN 3,46*
za szt.
 
 szt.
Wzmacniacz operacyjny AD711AQ Tranzystor polowy złączowy 4MHz PDIP, 8-Pin (1 Oferta) 
Typ wzmacniacza = Tranzystor polowy złączowy Typ montażu = Otwór przezierny Typ opakowania = PDIP Typ zasilania = Podwójne Liczba kanałów na układ = 1 Liczba styków = 8 Typowa dobroć wzmacniacza = ...
Analog Devices
AD711AQ
od PLN 34,677*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; Uds:600V; Id:72A; SP4; 416W; Ifsm:288A (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Typ modułu: tranzystorowy Struk...
Microsemi
APTC60AM35SCTG
od PLN 211,30*
za szt.
 
 szt.
FET małosygnałowy SOT-143 N 20 V (1 Oferta) 
FET małosygnałowy, Biegunowość: N, Typ obudowy: SOT-143, Wariant: Typ zubożenia, Prąd drenu: 20 mA, Strata mocy: 200 mW
NXP
BF991
od PLN 1,50*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   349   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.