Kategorie
»O MercateoWitamy! Login
Moje Mercateo
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor polowy

  Tranzystor polowy w Mercateo zakupy online (5 290 ofert spośród 4 569 034 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor polowy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor polowy"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: UnitedSiC Polaryzacja: unipolarny Technologia: SiC Rodzaj tranzystora: kaskodowy Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Właściwości elementów półprzewodnikowych: ESD protected gate Typ tranzystora...
UNITEDSIC
UJ3C120040K3S
od PLN 134,76*
za szt.
 
 szt.
J-FET małosygnałowy TO-92 N (1 Oferta) 
J-FET małosygnałowy, Biegunowość: N, Typ obudowy: TO-92, Prąd drenu: 5...15 mA, Strata mocy: 360 mW
NTE Electronics
NTE312
od PLN 8,30*
za szt.
 
 szt.
J-FET małosygnałowy TO-92 N (1 Oferta) 
J-FET małosygnałowy, Biegunowość: N, Typ obudowy: TO-92, Prąd drenu: 1...5 mA, Strata mocy: 310 mW
NTE Electronics
NTE457
od PLN 7,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: UnitedSiC Obudowa: TO247-3 Montaż: THT Rodzaj tranzystora: kaskodowy Polaryzacja: unipolarny Technologia: SiC Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Napięcie dren-źródło: 1.2kV Prąd drenu: 14A...
UNITEDSIC
UJC1210K
od PLN 77,62*
za szt.
 
 szt.
J-FET małosygnałowy TO-92 N (1 Oferta) 
J-FET małosygnałowy, Biegunowość: N, Typ obudowy: TO-92, Prąd drenu: 0.5...12 mA, Strata mocy: 250 mW
NTE Electronics
NTE458
od PLN 32,00*
za szt.
 
 szt.
J-FET złączowe TO-92 PN (1 Oferta) 
J-FET złączowe, Biegunowość: PN, Typ obudowy: TO-92, Prąd przewodzenia: 150 mA, Strata mocy: 300 mW
NTE Electronics
NTE6402
od PLN 10,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: UnitedSiC Obudowa: TO247-3 Montaż: THT Rodzaj tranzystora: kaskodowy Polaryzacja: unipolarny Technologia: SiC Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Napięcie dren-źródło: 1.2kV Prąd drenu: 24....
UNITEDSIC
UJC1206K
od PLN 115,83*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N, 500 V 22 A 278 W TO-3P (1 Oferta) 
MOSFET, Temperatura pracy: -55...+150 °C, Biegunowość: N, Typ obudowy: TO-3P, Wariant: Typ wzbogacenia, Strata mocy: 278 W
NTE Electronics
NTE2970
od PLN 67,45*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N, 60 V 50 A 150 W TO-220 (1 Oferta) 
MOSFET, Temperatura pracy: -55...+175 °C, Biegunowość: N, Typ obudowy: TO-220, Wariant: Typ wzbogacenia, Strata mocy: 150 W
NTE Electronics
NTE2395
od PLN 25,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V (1 Oferta) 
Producent: UnitedSiC Obudowa: TO247-3 Montaż: THT Rodzaj tranzystora: kaskodowy Polaryzacja: unipolarny Technologia: SiC Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 23.5...
UNITEDSIC
UJC06505K
od PLN 58,92*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 21A; 136W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: UnitedSiC Obudowa: TO247-3 Montaż: THT Polaryzacja: unipolarny Technologia: SiC Typ tranzystora: N-JFET Napięcie dren-źródło: 1.2kV Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80m...
UNITEDSIC
UJN1208K
od PLN 55,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 38A; 230W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: UnitedSiC Obudowa: TO247-3 Montaż: THT Polaryzacja: unipolarny Technologia: SiC Typ tranzystora: N-JFET Napięcie dren-źródło: 1.2kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45m...
UNITEDSIC
UJN1205K
od PLN 94,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 100mW; SC59; 10mA (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Rodzaj opakowania: rolka; taśma Montaż: SMD Obudowa: SC59 Polaryzacja: unipolarny Typ tranzystora: N-JFET Prąd bramki: 10mA Moc: 100mW Napięcie bramka-źródło: -50V
Toshiba
2SK208-GR(TE85L,F)
od PLN 0,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 14mA; 150mW; SC59; Igt:10mA (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Polaryzacja: unipolarny Montaż: SMD Rodzaj opakowania: rolka; taśma Obudowa: SC59 Typ tranzystora: N-JFET Prąd bramki: 10mA Moc: 150mW Prąd drenu: 14mA Napięcie bramka-źródło: -50V
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
od PLN 0,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 225mW; SOT23; 10mA (1 Oferta) 
Producent: ON SEMICONDUCTOR Obudowa: SOT23 Montaż: SMD Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka; taśma Typ tranzystora: N-JFET Prąd bramki: 10mA Moc: 225mW Napięcie bramka-źródło: -25V
ON Semiconductor
MMBFJ309LT1G
od PLN 0,84*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   353   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.