Kategorie
»O MercateoWitamy! Login
Moje Mercateo
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor polowy

  Tranzystor polowy w Mercateo zakupy online (5 007 ofert spośród 4 248 792 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor polowy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor polowy"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; unipolarny; kaskadowy; 1,2kV; 14A (1 Oferta) 
Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj tranzystora: kaskadowy Napięcie dren-źródło: 1.2kV Prąd drenu: 14A Moc: 113.6W Obudowa: TO247-3 Napięcie bramka-źródło: ±20V Rezystan...
UNITED SILICON CARBIDE
UJC1210K
od PLN 74,00*
za szt.
 
 szt.
J-FET małosygnałowy TO-92 N (1 Oferta) 
J-FET małosygnałowy, Biegunowość: N, Typ obudowy: TO-92, Prąd drenu: 5...15 mA, Strata mocy: 360 mW
NTE Electronics
NTE312
od PLN 6,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; unipolarny; kaskadowy; 1,2kV; 24,5A (1 Oferta) 
Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj tranzystora: kaskadowy Napięcie dren-źródło: 1.2kV Prąd drenu: 24.5A Moc: 192W Obudowa: TO247-3 Napięcie bramka-źródło: ±20V Rezystan...
UNITED SILICON CARBIDE
UJC1206K
od PLN 113,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; unipolarny; kaskadowy; 650V; 23,5A (1 Oferta) 
Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj tranzystora: kaskadowy Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 23.5A Moc: 113W Obudowa: TO247-3 Napięcie bramka-źródło: ±20V Rezystanc...
UNITED SILICON CARBIDE
UJC06505K
od PLN 56,83*
za szt.
 
 szt.
J-FET małosygnałowy TO-92 N (1 Oferta) 
J-FET małosygnałowy, Biegunowość: N, Typ obudowy: TO-92, Prąd drenu: 1...5 mA, Strata mocy: 310 mW
NTE Electronics
NTE457
od PLN 7,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 1,2kV; 21A; 136W; TO247-3; SiC (1 Oferta) 
Typ tranzystora: N-JFET Polaryzacja: unipolarny Napięcie dren-źródło: 1.2kV Prąd drenu: 21A Moc: 136W Obudowa: TO247-3 Napięcie bramka-źródło: ±20V Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Montaż: T...
UNITED SILICON CARBIDE
UJN1208K
od PLN 53,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 1,2kV; 38A; 230W; TO247-3; SiC (1 Oferta) 
Typ tranzystora: N-JFET Polaryzacja: unipolarny Napięcie dren-źródło: 1.2kV Prąd drenu: 38A Moc: 230W Obudowa: TO247-3 Napięcie bramka-źródło: ±20V Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Montaż: T...
UNITED SILICON CARBIDE
UJN1205K
od PLN 91,73*
za szt.
 
 szt.
J-FET małosygnałowy TO-92 N (1 Oferta) 
J-FET małosygnałowy, Biegunowość: N, Typ obudowy: TO-92, Prąd drenu: 0.5...12 mA, Strata mocy: 250 mW
NTE Electronics
NTE458
od PLN 31,92*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 1,7kV; 4,2A; 55W; TO263-7; SiC (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Typ tranzystora: N-JFET Polaryz...
UNITED SILICON CARBIDE
UJN171K0D7
od PLN 20,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 14mA; 150mW; SC59 (1 Oferta) 
Typ tranzystora: N-JFET Polaryzacja: unipolarny Prąd drenu: 14mA Moc: 150mW Obudowa: SC59 Montaż: SMD Rodzaj opakowania: rolka; taśma Producent: TOSHIBA
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
od PLN 0,79*
za szt.
 
 szt.
J-FET złączowe TO-92 PN (1 Oferta) 
J-FET złączowe, Biegunowość: PN, Typ obudowy: TO-92, Prąd przewodzenia: 150 mA, Strata mocy: 300 mW
NTE Electronics
NTE6402
od PLN 10,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 20V; 25mA; 300mW; SOT23 (1 Oferta) 
Typ tranzystora: N-JFET Polaryzacja: unipolarny Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 25mA Moc: 300mW Obudowa: SOT23 Montaż: SMD Producent: NEXPERIA
NEXPERIA
BF862.215
od PLN 0,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 225mW; SOT23; 10mA (2 ofert) 
Typ tranzystora: N-JFET Polaryzacja: unipolarny Moc: 225mW Obudowa: SOT23 Napięcie bramka-źródło: 25V Montaż: SMD Rodzaj opakowania: rolka; taśma Prąd bramki: 10mA Producent: ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor
MMBFJ309LT1G
od PLN 0,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N, 500 V 22 A 278 W TO-3P (1 Oferta) 
MOSFET, Temperatura pracy: -55...+150 °C, Biegunowość: N, Typ obudowy: TO-3P, Wariant: Typ wzbogacenia, Strata mocy: 278 W
NTE Electronics
NTE2970
od PLN 58,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 225mW; SOT23; 50mA (1 Oferta) 
Typ tranzystora: N-JFET Polaryzacja: unipolarny Moc: 225mW Obudowa: SOT23 Napięcie bramka-źródło: -40V Montaż: SMD Rodzaj opakowania: taśma; rolka Prąd bramki: 50mA Producent: ON SEMICONDUCTOR (FAI...
ON Semiconductor
MMBF4117
od PLN 0,176*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   334   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.
© 1999-2018 Mercateo Polska Sp. z o.o.