Kategorie
»O MercateoWitamy! Login
Moje Mercateo
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor w Mercateo zakupy online (13 745 ofert spośród 4 614 462 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Czujnik fotoelektryczny Dyfuzyjny Tranzystor bipolarny NPN/PNP cylindryczny zakres 0 → 100 mm M12 (1 Oferta) 
Styl czujnika = Tuleja Typ wykrywania = Dyfuzyjny Zakres wykrywania = 0 → 100 mm Typ wyjścia = Tranzystor bipolarny NPN/PNP Połączenie elektryczne = Złącze M12 Maksymalne napięcie DC = 30V Technolo...
Banner Batterien
Q3XTBLD100-Q8
od PLN 1 160,49*
za szt.
 
 szt.
Czujnik fotoelektryczny Dyfuzyjny Tranzystor bipolarny NPN/PNP cylindryczny zakres 25 → 300 mm M12 (1 Oferta) 
Styl czujnika = Tuleja Typ wykrywania = Dyfuzyjny Zakres wykrywania = 25 → 300 mm Typ wyjścia = Tranzystor bipolarny NPN/PNP Połączenie elektryczne = Złącze M12 Maksymalne napięcie DC = 30V Technol...
Banner Batterien
Q4XTBLAF300-Q8
od PLN 1 837,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor Darlingtona TO-220 NPN 120 V (2 ofert) 
Tranzystor Darlingtona, Biegunowość: NPN, Typ obudowy: TO-220, Napięcie kolektor-emiter: 120 V, Strata mocy: 80 W, Wzmocnienie: 750 ...1000 , Wzmocnienie maks.: 1000, Wzmocnienie min.: 750
NTE Electronics
NTE2343
od PLN 7,06*
za szt.
 
 szt.
Driver; high-side, sterownik bramek IGBT; -2÷1A; 1,4W; Kanały:2 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: PG-DSO-18-2 Montaż: SMD Rodzaj układu scalonego: high-side; sterownik bramek IGBT Właściwości układów scalonych: bootstrap; wbudowany komparator; wbudowany...
Infineon
2ED020I12-FI
od PLN 7,86*
za szt.
 
 szt.
Driver; separacja galwaniczna; high-side, sterownik bramek IGBT (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Rodzaj układu scalonego: high-side; sterownik bramek IGBT Obudowa: PG-DSO-16-15 Montaż: SMD Właściwości układów scalonych: separacja galwaniczna Rodzaj opakowania: ...
Infineon
1ED020I12F2XUMA1
od PLN 11,13*
za szt.
 
 szt.
Driver; separacja galwaniczna; high-side, sterownik bramek IGBT (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Rodzaj układu scalonego: high-side; sterownik bramek IGBT Obudowa: PG-DSO-8 Właściwości układów scalonych: separacja galwaniczna Topologia: pojedynczy t...
Infineon
1EDC40I12AHXUMA1
od PLN 6,65*
za szt.
 
 szt.
Driver; separacja galwaniczna; high-side, sterownik bramek IGBT (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Rodzaj układu scalonego: high-side; sterownik bramek IGBT Obudowa: PG-DSO-8 Właściwości układów scalonych: separacja galwaniczna Topologia: pojedynczy t...
Infineon
1EDC60I12AHXUMA1
od PLN 6,75*
za szt.
 
 szt.
Czujnik fotoelektryczny Dyfuzyjny Tranzystor bipolarny NPN/PNP cylindryczny zakres 0 → 200 mm M12 (1 Oferta) 
Styl czujnika = Tuleja Typ wykrywania = Dyfuzyjny Zakres wykrywania = 0 → 200 mm Typ wyjścia = Tranzystor bipolarny NPN/PNP Połączenie elektryczne = Złącze M12 Maksymalne napięcie DC = 30V Technolo...
Banner Batterien
Q3XTBLD200-Q8
od PLN 1 161,67*
za szt.
 
 szt.
Czujnik fotoelektryczny Dyfuzyjny Tranzystor bipolarny NPN/PNP cylindryczny zakres 0 → 300 mm M12 (1 Oferta) 
Styl czujnika = Tuleja Typ wykrywania = Dyfuzyjny Zakres wykrywania = 0 → 300 mm Typ wyjścia = Tranzystor bipolarny NPN/PNP Połączenie elektryczne = Złącze M12 Maksymalne napięcie DC = 30V Technolo...
Banner Batterien
Q3XTBLD-Q8
od PLN 1 106,69*
za szt.
 
 szt.
Czujnik fotoelektryczny Dyfuzyjny Tranzystor bipolarny NPN/PNP cylindryczny zakres 25 → 300 mm M12 (1 Oferta) 
Styl czujnika = Tuleja Typ wykrywania = Dyfuzyjny Zakres wykrywania = 25 → 300 mm Typ wyjścia = Tranzystor bipolarny NPN/PNP Połączenie elektryczne = Złącze M12 Maksymalne napięcie DC = 30V Technol...
Banner Batterien
Q4XTBCOD300-Q8
od PLN 1 834,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor Darlingtona TO-3 NPN 100 V (2 ofert) 
Tranzystor Darlingtona, Biegunowość: NPN, Typ obudowy: TO-3, Napięcie kolektor-emiter: 100 V, Strata mocy: 150 W, Wzmocnienie: 750 ...18000 , Wzmocnienie maks.: 18000, Wzmocnienie min.: 750
NTE Electronics
NTE247
od PLN 16,90*
za szt.
 
 szt.
Driver; separacja galwaniczna; high-side, sterownik bramek IGBT (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Rodzaj układu scalonego: high-side; sterownik bramek IGBT Obudowa: PG-DSO-8 Właściwości układów scalonych: separacja galwaniczna Topologia: pojedynczy t...
Infineon
1EDC60H12AHXUMA1
od PLN 6,77*
za szt.
 
 szt.
Driver; separacja galwaniczna; high-side, sterownik bramek IGBT (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Rodzaj układu scalonego: high-side; sterownik bramek IGBT Obudowa: PG-DSO-8 Właściwości układów scalonych: separacja galwaniczna Topologia: pojedynczy t...
Infineon
1EDC20I12AHXUMA1
od PLN 6,10*
za szt.
 
 szt.
Driver; separacja galwaniczna; high-side, sterownik bramek IGBT (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Rodzaj układu scalonego: high-side; sterownik bramek IGBT Obudowa: PG-DSO-8 Właściwości układów scalonych: separacja galwaniczna Topologia: pojedynczy t...
Infineon
1EDC20H12AHXUMA1
od PLN 6,17*
za szt.
 
 szt.
Driver; sterownik bramek IGBT, sterownik bramek MOSFET; 1,5A (1 Oferta) 
Producent: ST MICROELECTRONICS Obudowa: SO14 Montaż: SMD Rodzaj układu scalonego: sterownik bramek IGBT; sterownik bramek MOSFET Typ układu scalonego: driver Prąd wyjściowy: 1.5A
ST Microelectronics
TD350E
od PLN 5,26*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   917   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.