Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 621 ofert spośród 4 778 848 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolarny; 600V; 10,7A; 130W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Pola...
ST Microelectronics
STP24N60M6
od PLN 7,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolarny; 40V; 95A; Idm: 537A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 95A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 115W P...
Nexperia
PSMN3R2-40YLDX
od PLN 2,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 70A; Idm: 200A; 500W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polaryzacja: u...
Littelfuse
LSIC1MO120G0025
od PLN 133,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 43A; Idm: 145A; 344W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 344W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M50120Q
od PLN 45,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolarny; 600V; 23A; Idm: 126A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryz...
ST Microelectronics
STP46N60M6
od PLN 19,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M18B2VFRG
od PLN 110,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 89,3A; Idm: 267,9A (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 89,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 227W Pol...
Infineon
IMW120R014M1HXKSA1
od PLN 134,853*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 46A; Idm: 100A; 278W (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W Pola...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW120SIC059-AQ
od PLN 85,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolarny; 600V; 33A; Idm: 200A (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 330W Polaryzac...
ST Microelectronics
STWA67N60M6
od PLN 19,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 49A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6011B2VRG
od PLN 107,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 9,5A; Idm: 21A; 37,5W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 9,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 416mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 37,5W ...
Infineon
IMZ120R220M1HXKSA1
od PLN 25,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 46A; Idm: 160A; 313W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 313W Polaryzacja: uni...
Nexperia
NSF040120L3A0Q
od PLN 70,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolarny; 600V; 8,2A; Idm: 38A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polar...
ST Microelectronics
STP18N60M6
od PLN 6,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 108A; Idm: 340A; 625W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 108A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M14120Q
od PLN 192,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 4,4A; Idm: 11A; 60W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W Polaryzacja: ...
Littelfuse
LSIC1MO170E0750
od PLN 18,65*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1051   1052   1053   1054   1055   1056   1057   1058   1059   1060   1061   ..   1375   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.