Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 75A; 781W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 68ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GF120B2RG |
od PLN 91,10*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 20A, TO-220FP (1 Oferta) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=STP20NM60FP, Ciągły prąd drenu (Id)=20 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=42 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięc... |
|
od PLN 25,09*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65DHRC11 |
od PLN 27,265*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 5A; 140W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 5A Prąd kolektora w impulsie: 20A Czas załączania: 107ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 21,67*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,34*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65EHRC11 |
od PLN 29,196*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 2,5kV; 2A; 32W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2A Prąd kolektora w impulsie: 13,5A Czas załączania: 115ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 43,05*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 22A, TO-220 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IXFP22N60P3, Ciągły prąd drenu (Id)=22 A, Czas narastania=17 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=54 ns, Czas opóźnienia włączenia=28 ns, Napięc... |
|
od PLN 11,46*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65HRC11 |
od PLN 20,885*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262 (1 Oferta) Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE... |
|
od PLN 14,70*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 23.8A, TO-220 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IPP60R160C6XKSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=23.8 A, Czas narastania=13 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=96 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, ... |
|
od PLN 7,44*
za szt. |
| |
IGBT Ic 70 A Uce 650 V 1 TO-247GE 234 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 234 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH80TS65DGC13 |
od PLN 15,52*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 100A; 830W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 285ns Czas wyłącza... |
|
od PLN 135,41*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 28A, TO-3P (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IXFQ28N60P3, Ciągły prąd drenu (Id)=28 A, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=48 ns, Czas opóźnienia włączenia=27 ns, Napięc... |
|
od PLN 15,47*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65HRC11 |
od PLN 19,513*
za szt. |
| |
|
