Tranzystor kup korzystnie w Mercateo (strona 384/1 376)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 TO-3PF Pojedynczy kanał: N 94 W (1 Oferta)

Przy użyciu nowej technologii IGBT, ON z nowej serii sterowników RC 4-tej generacji firmy korzysta optymalna wydajność do korekcji współczynnika PFC i zastosowań przemysłowych.Maksymalna temperatur...

onsemi

FGAF40S65AQ

od PLN 5,849*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 25V; 20mA; 0,2W; TO106; Igt: 10mA (1 Oferta)

Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO106 Prąd bramki: 10mA Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 20mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...

NTE Electronics

NTE132

od PLN 12,11*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 75V, 80A, TO-220 (1 Oferta)

Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=STP75NF75, Ciągły prąd drenu (Id)=80 A, Czas narastania=100 ns, Czas opadania=30 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=66 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięci...

brak danych

STP75NF75

od PLN 7,76*
za szt.

IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247-3L 375 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 30 Typ opakowania = TO-247-3L

onsemi

FGHL75T65MQDT

od PLN 22,995*
za szt.

Infineon IPP052NE7N3 G tranzystor 75 V (3 ofert)

Infineon

IPP052NE7N3GXKSA1

od PLN 4,71*
za szt.

IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247-3L 469 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 30 Typ opakowania = TO-247-3L

onsemi

FGHL75T65LQDT

od PLN 23,015*
za szt.

Infineon IRF7501 tranzystor 60 V (1 Oferta)

Infineon

IRF7501TRPBF

od PLN 3 310,28*
za 4 000 szt.

Infineon IRFS3607 tranzystor 75 V (2 ofert)

Infineon

IRFS3607TRLPBF

od PLN 2,395*
za szt.

IGBT IRFR420APBF, Vishay (3 ofert)

Tranzystory MOSFET

Vishay

IRFR420APBF

od PLN 1,72*
za szt.

Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta)

Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...

Qorvo (UnitedSiC)

UF3C065030K4S

od PLN 211,10*
za szt.

Infineon IRF2807S tranzystor 55 V (3 ofert)

Infineon

IRF2807STRLPBF

od PLN 2,53*
za szt.

IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247 Pojedynczy kanał: N 238 W (1 Oferta)

SYSTEM ON Semiconductor Field Stop Trench IGBT zapewnia optymalną wydajność zarówno w przypadku topologii z przełączaniem twardym, jak i miękkim w zastosowaniach motoryzacyjnych. Jest to samodzieln...

onsemi

AFGHL40T65SQD

od PLN 161,43*
za 10 szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 75V, 82A, TO-220 (3 ofert)

Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRF2807PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=82 A, Czas narastania=64 ns, Czas opadania=48 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=49 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięci...

Infineon

IRF2807PBF

od PLN 3,88*
za szt.

IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247-4LD 469 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 30 Typ opakowania = TO-247-4LD

onsemi

FGHL75T65LQDTL4

od PLN 18,306*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 35V; 2mA; 0,625W; TO92; Igt: 50mA (1 Oferta)

Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO92 Prąd bramki: 50mA Napięcie dren-źródło: 35V Prąd drenu: 2mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,625W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...

NTE Electronics

NTE469

od PLN 3,15*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 381 382 383 384 385 386 387 388 389 390 391 .. 1376 Dalej

Tranzystor (20 633 ofert spośród 4 782 727 artykułów)

"Tranzystor"