Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 629 ofert spośród 4 741 719 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 40 A Uce 650 V 2 PG-TO247-3 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Liczba tranzystorów = 2 Konfiguracja = Pojedyncza
Infineon
IKW40N65RH5XKSA1
od PLN 619,80*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolarny; 200V; 9,45A; 90W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 9,45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polar...
ST Microelectronics
STP19NF20
od PLN 3,84*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6,5 A SOIC NCV57090BDWR2G 22V (1 Oferta) 
Prąd wyjściowy = 6,5 A Napięcie zasilania = 22V Liczba styków = 8 Typ opakowania = SOIC
onsemi
NCV57090BDWR2G
od PLN 8,482*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 200V; 50A; 360W; 150ns (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W...
IXYS
IXTP50N20P
od PLN 10,35*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 7 A SOIC NCD57085DR2G 20V (1 Oferta) 
Prąd wyjściowy = 7 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 8 Typ opakowania = SOIC
onsemi
NCD57085DR2G
od PLN 4,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolarny; 600V; 48A; 830W; 200ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 135mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83...
IXYS
IXFX48N60P
od PLN 47,01*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 36-pinowy 2 A SOIC-36 2ED020I12F2XUMA1 CMOS 5.5V (1 Oferta) 
Typ układu logicznego = CMOS Prąd wyjściowy = 2 A Napięcie zasilania = 5.5V Liczba styków = 36 Typ opakowania = SOIC-36
Infineon
2ED020I12F2XUMA1
od PLN 16,79*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPI120N04S4-02 tranzystor 40 V (1 Oferta)
Infineon
IPI120N04S402AKSA1
od PLN 3,82*
za szt.
 
 szt.
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 50 A Uce 650 V 2 PG-TO247-3 274 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 274 W Konfiguracja = Pojedyncza
Infineon
IKW50N65SS5XKSA1
od PLN 1 029,54*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 200V; 50A; 360W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W P...
IXYS
IXTA50N20P
od PLN 10,44*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 7 A SOIC NCD57084DR2G 20V (1 Oferta) 
Prąd wyjściowy = 7 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 8 Czas zanikania = 15ns
onsemi
NCD57084DR2G
od PLN 7,113*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,1kV; 24A; Idm: 100A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,1kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W ...
IXYS
MMIX1F40N110P
od PLN 195,27*
za szt.
 
 szt.
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 50 A Uce 650 V 2 PG-TO247-3 305 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 305 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65RH5XKSA1
od PLN 29,235*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPD90N04S4-04 tranzystor 40 V (1 Oferta)
Infineon
IPD90N04S404ATMA1
od PLN 3,00*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 1,9 A SOIC NCV57201DR2G 20V (1 Oferta) 
Prąd wyjściowy = 1,9 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 8 Czas zanikania = SOICns
onsemi
NCV57201DR2G
od PLN 5,241*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   441   442   443   444   445   446   447   448   449   450   451   ..   1376   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.