Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 636 ofert spośród 4 739 778 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 6A; 250W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W ...
IXYS
IXFA6N120P
od PLN 24,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy PNP PowerDI3333-8 -100 V. Montaż powierzchniowy -2 A DXTP22040CFGQ-7 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -100 V. Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prąd...
Diodes
DXTP22040CFGQ-7
od PLN 0,905*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 200V; 210A; 1500W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,5kW Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFB210N20P
od PLN 97,88*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 7 A SOIC NCD57084DR2G 20V (1 Oferta) 
Prąd wyjściowy = 7 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 8 Czas zanikania = 15ns
onsemi
NCD57084DR2G
od PLN 5,104*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 150V; 96A; 480W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 96A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W P...
IXYS
IXTT96N15P
od PLN 19,00*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy PNP PowerDI3333-8 -40 V Montaż powierzchniowy -2 A DXTP22040DFGQ-7 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -40 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu ...
Diodes
DXTP22040DFGQ-7
od PLN 1,042*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy NPN PowerDI3333-8 40 V Montaż powierzchniowy 2 A DXTN22040DFGQ-7 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 40 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu DC...
Diodes
DXTN22040DFGQ-7
od PLN 1,015*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 300V; 140A; 1040W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04k...
IXYS
IXFK140N30P
od PLN 61,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy PNP PowerDI3333-8 -40 V Montaż powierzchniowy -2 A DXTP22040DFGQ-7 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -40 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu ...
Diodes
DXTP22040DFGQ-7
od PLN 1 804,24*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 200V; 120A; 714W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 714W P...
IXYS
IXTQ120N20P
od PLN 30,49*
za szt.
 
 szt.
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 40 A Uce 650 V 2 PG-TO247-3 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 250 W Konfiguracja = Pojedyncza
Infineon
IKW40N65RH5XKSA1
od PLN 23,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 100V; 170A; 715W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 715W P...
IXYS
IXFK170N10P
od PLN 34,92*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy PNP PowerDI3333-8 -60 V Montaż powierzchniowy -3 A DXTP07100BFGQ-7 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -3 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -60 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu ...
Diodes
DXTP07100BFGQ-7
od PLN 1,042*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 300V; 52A; 400W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 73mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W P...
IXYS
IXTT52N30P
od PLN 18,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy PNP PowerDI3333-8 -25 V Montaż powierzchniowy -3 A DXTP07025BFGQ-7 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -3 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -25 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu ...
Diodes
DXTP07025BFGQ-7
od PLN 1,032*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   441   442   443   444   445   446   447   448   449   450   451   ..   1376   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.