Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 627 ofert spośród 4 768 657 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 300V; 52A; 400W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 73mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W P...
IXYS
IXTT52N30P
od PLN 18,90*
za szt.
 
 szt.
Infineon BFQ790 tranzystor (1 Oferta)
Infineon
BFQ790H6327XTSA1
od PLN 4 113,65*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 800V; 7A; 200W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,44Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W P...
IXYS
IXFA7N80P
od PLN 7,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor Darlingtona NPN + PNP 50 V Montaż powierzchniowy SOIC W (1 Oferta) 
Sterowniki zasilania, Allegro Microsystems
Allegro Microsystems
A2982SLWTR-T
od PLN 4 975,72*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 21A; Idm: 84A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10050LVRG
od PLN 115,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-343 4 V Montaż powierzchniowy 50 mA BF776H6327XTSA1 (1 Oferta) 
Wysokowydajny dwubiegunowy tranzystor RF NPN Infineon to wysokiej klasy wzmacniacz o niskim poziomie szumów o niskim poziomie szumów typowym. 0.8 dB przy 1.8 GHz. Jest on używany do szerokiej gamy ...
Infineon
BF776H6327XTSA1
od PLN 1,079*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 250V; 42A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 84mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W P...
IXYS
IXTA42N25P
od PLN 10,41*
za szt.
 
 szt.
Płytka ewaluacyjna Infineon Sterownik bramki IGBT Płytka ewaluacyjna Ładowarka EV, napędy przemysłowe, systemy energii (1 Oferta) 
Funkcja zarządzania mocą = Sterownik bramki IGBT Rodzaj zestawu = Płytka ewaluacyjna Symbol układu = 1EDI60I12AF, IKW50N65F5 Nazwa zestawu = EVAL-1EDI60I12AF
Infineon
EVAL1EDI60I12AFTOBO1
od PLN 349,373*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 300V; 52A; 400W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 73mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Po...
IXYS
IXTQ52N30P
od PLN 15,71*
za szt.
 
 szt.
Infineon BFR740L3RH tranzystor (1 Oferta)
Infineon
BFR740L3RHE6327XTSA1
od PLN 1,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 900V; 10,5A; Idm: 36A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 10,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,66Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszan...
IXYS
IXFR18N90P
od PLN 38,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor Darlingtona NPN 120 V Montaż powierzchniowy SOT-23F Pojedynczy (1 Oferta) 
Tranzystory Darlingtona, Diodes Inc
Diodes
ZXTN04120HFFTA
od PLN 19,50*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M18LVFRG
od PLN 140,42*
za szt.
 
 szt.
Płytka ewaluacyjna onsemi IGBT Płytka ewaluacyjna FOD8332 (1 Oferta) 
Funkcja zarządzania mocą = IGBT Do użytku z = FOD8332 Rodzaj zestawu = Płytka ewaluacyjna
onsemi
FEBFOD8332-GEVB
od PLN 487,234*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 500V; 16A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFA16N50P
od PLN 10,60*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   451   452   453   454   455   456   457   458   459   460   461   ..   1376   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.