Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 627 ofert spośród 4 777 073 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 201 A D2PAK (TO-263) 100 V SMD 0.00682 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET ON Semiconductor Power pracuje z napięciem 201 A i 100 V. Może być używany w systemach Hot Swap w systemach 48 V.Niski opór odpływu do źródła Wysoka wydajność prądowa Szeroki, bez...
onsemi
NTB004N10G
od PLN 14,213*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 63A; Idm: 200A; 400W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R30MT12K
od PLN 84,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 149 A SuperSO8 5 x 6 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 149 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ...
Infineon
BSC0901NSATMA1
od PLN 1,958*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 21A; Idm: 84A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10050LVFRG
od PLN 106,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor Darlingtona PNP 80 V Montaż powierzchniowy SOT-223 Pojedynczy (2 ofert) 
Tranzystory Darlingtona Nexperia
Nexperia
BSP62,115
od PLN 0,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 17,7A; 125W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 23ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 17,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 196mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc roz...
Wolfspeed
C2M0160120D
od PLN 41,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 16 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 16 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Infineon
IPG16N10S461ATMA1
od PLN 3,289*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 50A; Idm: 140A; 333W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 333W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R40MT12D
od PLN 54,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 220 mA XDFN3 20 V 4,5 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 220 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = XDFN3 Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 4,5 oma Tryb kanałowy = Roz...
onsemi
NTNS0K8N021ZTCG
od PLN 0,851*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 63A; Idm: 222A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120S
od PLN 157,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 15 A PowerFLAT 8 x 8 HV 600 V SMD Pojedynczy 110 W 215 miliomów (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = PowerFLAT 8 x 8 HV Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezys...
ST Microelectronics
STL26N60DM6
od PLN 8,258*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M18LVRG
od PLN 90,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor JFET, N-kanałowy, 3-pinowy (1 Oferta) 
Typ kanału = N Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu = 14mA Maksymalne napięcie bramka-źródło = -50 V Typ opakowania = S-MINI Liczba styków = 3
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
od PLN 1,284*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 18A; Idm: 60A; 139W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W Polaryzacja: ...
Littelfuse
LSIC1MO120E0120
od PLN 45,87*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 17 A TO-252 800 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 17 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IPD80R280P7ATMA1
od PLN 9,129*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   461   462   463   464   465   466   467   468   469   470   471   ..   1376   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.