Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 635 ofert spośród 4 742 415 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 950V; 6A; 90W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polaryza...
ST Microelectronics
STP6N95K5
od PLN 4,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 15 A D2PAK (TO-263) 900 V SMD 0.34 O. (1 Oferta) 
Model Infineon 900V Cool MOS C3 to trzecia seria Cool MOS firmy Infinion z wejściem na rynek w 2001 roku. C3 jest „koniem roboczym”; portfela.Niska specyficzna oporność w stanie włączenia (RDS(ON)*...
Infineon
IPB90R340C3ATMA2
od PLN 15,698*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 150V; 15A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 29W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG15N15B
od PLN 0,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 120 A D2PAK (TO-263) 80 V SMD 0.0031 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystanc...
Infineon
IPB031N08N5ATMA1
od PLN 9,619*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 12,3A; 250W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 12,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polary...
ST Microelectronics
STW25N80K5
od PLN 14,59*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC13DN30NSFDATMA1
od PLN 6,478*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SC70;SOT323 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,26W Polaryzacja...
Nexperia
2N7002PW,115
od PLN 0,143*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 24 A DPAK (TO-252) 150 V SMD 0.095 O. (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 24 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancj...
Infineon
IRFR24N15DTRPBF
od PLN 1,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolarny; 100V; 2,4A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23-6 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,5W Polar...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS03N10A
od PLN 1,265*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 151 A TO-247-4 650 V 0.06 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 151 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źr...
Infineon
IPZA60R060P7XKSA1
od PLN 19,867*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 56A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42,5W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJD80G06A
od PLN 0,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 13 A TO-220 800 V 360 milioma (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET ON SEMICONDUCTOR serii SUPERFET III N-Channel 800V został zoptymalizowany pod kątem głównego przełącznika konwertera Fly Back, dzięki zoptymalizowanej konstrukcji umożliwia obniże...
onsemi
NTP360N80S3Z
od PLN 8,606*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 6A; 110W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryza...
ST Microelectronics
STP7N80K5
od PLN 4,079*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB033N10N5LFATMA1
od PLN 13,516*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 100V; 3,8A; Idm: 14A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 3,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 126mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,33W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SI3474DV-T1-GE3
od PLN 0,78*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   481   482   483   484   485   486   487   488   489   490   491   ..   1376   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.