Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
| | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Diotec 2SA1012R Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (1 Oferta) Tranzystor (BJT) - dykretny Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 1 MHz · Moc (maks) P(TOT): 5 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): -50 V · Prąd kolektora I(C): -5000 mA · Saturacja VCE (m... |
|
od PLN 3,54* za szt. |
| |
|
|
od PLN 275,81* za szt. |
| |
|
|
od PLN 31,692* za 5 szt. |
| |
Tranzystor JFET, 6V, TO-92, Kanał N (2 ofert) Tranzystor JFET, Typ=NTE312, Ciągły prąd drenu (Id)=15 mA, Napięcie odcięcia bramka-źródło maks. (Vgs(off))=6 V, Napięcie przebicia=-30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=-999, Rezystancja włączania=... |
|
od PLN 4,92* za szt. |
| |
Diotec 2SC2983 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (2 ofert) Tranzystor (BJT) - dykretny Dane techniczne: Moc (maks) P(TOT): 15 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 160 V · Prąd kolektora I(C): 1500 mA · Saturacja VCE (maks.): 1500 mV · Sposób montażu: mon... |
|
od PLN 0,99* za szt. |
| |
|
|
od PLN 426,43* za szt. |
| |
|
|
od PLN 27,334* za 5 szt. |
| |
Tranzystor małosygnałowy, NPN, 40V, TO-18 (2 ofert) Tranzystor małosygnałowy, Typ=NTE123A, Ciągły prąd kolektora (Ic)=800 mA, Częstotliwość tranzytowa=300 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=75 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, Napięcie kolektor-e... |
|
od PLN 4,45* za szt. |
| |
|
|
od PLN 22,78* za szt. |
| |
|
|
od PLN 443,10* za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor DTC143ZMT2L |
od PLN 0,0404* za szt. |
| |
Tranzystor małosygnałowy, NPN, 80V, TO-39 (1 Oferta) Tranzystor małosygnałowy, Typ=NTE128, Ciągły prąd kolektora (Ic)=1 A, Częstotliwość tranzytowa=400 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=140 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=7 V, Napięcie kolektor-emit... |
|
od PLN 9,58* za szt. |
| |
|
|
od PLN 25,23* za szt. |
| |
|
|
od PLN 547,41* za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor DTC114EETL |
od PLN 0,105* za szt. |
| |
|