 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 195A Czas załączania: 57ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 20,35*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,51*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 17,016*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 470W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 480A Czas załączania: 87ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 53,07*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,156*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 115 A Uce 650 V 1 TO-247 357 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 115 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 357 W Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = 4 |
ST Microelectronics STGW75H65DFB2-4 |
od PLN 25,302*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 27,70*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 39,773*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 600W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 81ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 17,44*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 40V, 3.9A, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TSM2318CX RFG, Ciągły prąd drenu (Id)=3.9 A, Czas narastania=12 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie bramka-źró... |
Taiwan Semiconductor TSM2318CX RFG |
od PLN 1,17*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 100 A Uce 650 V AG-ECONO2B-411 335 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 335 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411 |
Infineon FS100R07N2E4BPSA1 |
od PLN 402,935*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 56ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 23,95*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 12,27*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 100 A Uce 650 V AG-ECONO2B-411 335 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 335 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411 |
Infineon FS100R07N2E4BPSA1 |
od PLN 6 145,684*
za 15 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 36ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 6,96*
za szt. |
|
|
