|  | | | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | 100% |
|
Dioda Schottky'ego, SiC, 10A, 1.2kV, TO-247-3L 1.2kV 10A TO-247-3L Podwójna (1 Oferta) Dioda Schottky'ego, SiC, Typ=UJ3D1210KSD, Napięcie przewodzenia (Vf)=1.4 V, Opór cieplny=430 mW/°C, Pojemność=500 pF, Prąd wsteczny maks.=800 µA, Rozpraszanie mocy (Pd)=272 W, Styki=3, Szczytowy ni... |
United Silicon Carbide UJ3D1210KSD |
od PLN 42,14*
za szt. |
| 100% |
|
Dioda Schottky'ego, SiC, 20A, 650V, TO-247-3L 650V 20A TO-247-3L Podwójna (1 Oferta) Dioda Schottky'ego, SiC, Typ=UJ3D06520KSD, Napięcie przewodzenia (Vf)=1.5 V, Opór cieplny=820 mW/°C, Pojemność=654 pF, Prąd wsteczny maks.=300 µA, Rozpraszanie mocy (Pd)=272.8 W, Styki=3, Szczytowy... |
United Silicon Carbide UJ3D06520KSD |
od PLN 31,04*
za szt. |
| 100% |
|
Dioda Schottky'ego, SiC, 2A, 1.2kV, TO-220 1.2kV 2A TO-220 Pojedyncza (1 Oferta) Dioda Schottky'ego, SiC, Typ=UJ3D1202TS, Napięcie przewodzenia (Vf)=1.4 V, Opór cieplny=1.5 W/°C, Pojemność=109 pF, Prąd wsteczny maks.=200 µA, Rozpraszanie mocy (Pd)=75 W, Styki=2, Szczytowy niepo... |
United Silicon Carbide UJ3D1202TS |
od PLN 10,69*
za szt. |
| 100% |
|
Dioda Schottky'ego, SiC, 5A, 1.2kV, TO-220 1.2kV 5A TO-220 Pojedyncza (1 Oferta) Dioda Schottky'ego, SiC, Typ=UJ3D1205TS, Napięcie przewodzenia (Vf)=1.4 V, Opór cieplny=850 mW/°C, Pojemność=250 pF, Prąd wsteczny maks.=400 µA, Rozpraszanie mocy (Pd)=136 W, Styki=2, Szczytowy nie... |
United Silicon Carbide UJ3D1205TS |
od PLN 20,35*
za szt. |
| 100% |
|
Dioda Schottky'ego, SiC, 8A, 650V, TO-220 650V 8A TO-220 Pojedyncza (1 Oferta) Dioda Schottky'ego, SiC, Typ=UJ3D06508TS, Napięcie przewodzenia (Vf)=1.5 V, Opór cieplny=1 W/°C, Pojemność=250 pF, Prąd wsteczny maks.=50 µA, Rozpraszanie mocy (Pd)=115.4 W, Styki=2, Szczytowy niep... |
United Silicon Carbide UJ3D06508TS |
od PLN 11,16*
za szt. |
| 100% |
|
Kaskoda MOSFET, SiC, Kanał N, 1.2kV, 33A, TO-247-3L (1 Oferta) Kaskoda MOSFET, SiC, Typ=UJ3C120080K3S, Ciągły prąd drenu (Id)=33 A, Czas narastania=14 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=61 ns, Czas opóźnienia włączenia=22 ns, Napięcie bramka-ź... |
United Silicon Carbide UJ3C120080K3S |
od PLN 75,06*
za szt. |
| 100% |
|
Kaskoda MOSFET, SiC, Kanał N, 1.2kV, 65A, TO-247-3L (1 Oferta) Kaskoda MOSFET, SiC, Typ=UJ3C120040K3S, Ciągły prąd drenu (Id)=65 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=20 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=63 ns, Czas opóźnienia włączenia=33 ns, Napięcie bramka-ź... |
United Silicon Carbide UJ3C120040K3S |
od PLN 153,11*
za szt. |
| 100% |
|
Kaskoda MOSFET, SiC, Kanał N, 650V, 25A, D2PAK-3 (1 Oferta) Kaskoda MOSFET, SiC, Typ=UJ3C065080B3, Ciągły prąd drenu (Id)=25 A, Czas narastania=13 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=59 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-źr... |
United Silicon Carbide UJ3C065080B3 |
od PLN 39,82*
za szt. |
| 100% |
|
Kaskoda MOSFET, SiC, Kanał N, 650V, 31A, TO-220 (1 Oferta) Kaskoda MOSFET, SiC, Typ=UJ3C065080T3S, Ciągły prąd drenu (Id)=31 A, Czas narastania=13 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=59 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-ź... |
United Silicon Carbide UJ3C065080T3S |
od PLN 46,43*
za szt. |
| 100% |
|
Kaskoda MOSFET, SiC, Kanał N, 650V, 41A, D2PAK-3 (1 Oferta) Kaskoda MOSFET, SiC, Typ=UF3C065040B3, Ciągły prąd drenu (Id)=41 A, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=12 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=58 ns, Czas opóźnienia włączenia=33 ns, Napięcie bramka-źr... |
United Silicon Carbide UF3C065040B3 |
od PLN 93,00*
za szt. |
| 100% |
|
Kaskoda MOSFET, SiC, Kanał N, 650V, 54A, TO-247-3L (1 Oferta) Kaskoda MOSFET, SiC, Typ=UF3C065040K3S, Ciągły prąd drenu (Id)=54 A, Czas narastania=24 ns, Czas opadania=13 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=57 ns, Czas opóźnienia włączenia=35 ns, Napięcie bramka-ź... |
United Silicon Carbide UF3C065040K3S |
od PLN 112,27*
za szt. |
| 100% |
|
Kaskoda MOSFET, SiC, Kanał N, 650V, 54A, TO-247-4 (1 Oferta) Kaskoda MOSFET, SiC, Typ=UF3C065040K4S, Ciągły prąd drenu (Id)=54 A, Czas narastania=22 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=22 ns, Napięcie bramka-źr... |
United Silicon Carbide UF3C065040K4S |
od PLN 107,57*
za szt. |
| 100% |
|
Kaskoda MOSFET, SiC, Kanał N, 650V, 85A, TO-220 (1 Oferta) Kaskoda MOSFET, SiC, Typ=UJ3C065030T3S, Ciągły prąd drenu (Id)=85 A, Czas narastania=22 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=56 ns, Czas opóźnienia włączenia=36 ns, Napięcie bramka-ź... |
United Silicon Carbide UJ3C065030T3S |
od PLN 111,98*
za szt. |
| 100% |
|
Kaskoda MOSFET, SiC, Kanał N, 650V, 85A, TO-247-3L (1 Oferta) Kaskoda MOSFET, SiC, Typ=UJ3C065030K3S, Ciągły prąd drenu (Id)=85 A, Czas narastania=26 ns, Czas opadania=17 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=63 ns, Czas opóźnienia włączenia=44 ns, Napięcie bramka-ź... |
United Silicon Carbide UJ3C065030K3S |
od PLN 125,45*
za szt. |
| 100% |
|
Kaskoda MOSFET, SiC, Kanał N, 650V, 85A, TO-247-3L (1 Oferta) Kaskoda MOSFET, SiC, Typ=UF3C065030K3S, Ciągły prąd drenu (Id)=85 A, Czas narastania=28 ns, Czas opadania=18 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=59 ns, Czas opóźnienia włączenia=43 ns, Napięcie bramka-ź... |
United Silicon Carbide UF3C065030K3S |
od PLN 174,01*
za szt. |
| |
|
