|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1106562 Nr producenta:
STPSC10H065GY-TR EAN/GTIN:
5059042373530 |
| |
|
| | |
| AEC-Q101. Samochodowy silikonowy karbid (SiC) Dioda Schottky, STMicroelectronics. Silikonowa dioda Carbide (SiC) jest niezwykle wydajnym prostownikiem Schottky'ego o dużej mocy. Te części z przedrostkiem -Y do numeru katalogowego mają jakość motoryzacyjną i są zgodne z AEC-Q101. Wysoka wydajność zwiększa wartość przetwornicy Zmniejsza rozmiar i koszt przetwornicy Niski wpływ EMC, upraszcza certyfikację i skraca czas wprowadzania produktów na rynek Naturalna wysoka wytrzymałość zapewnia bardzo dużą niezawodność. Brak lub nieznaczne odwrócenie kierunku jazdy. Zmiana przełączania niezależna od temperatury. Możliwość pompażu do przodu. obsługa protokołu PPAP Zgodność z przepisami Ecoppack 2. Zaliczona AEC-Q101. RS Kody produktów. ; 110-6562 110-6562 STPSC10H065GY-TR SiC Dioda Schottky 650 V 10A D²PAK ; 124-1124 124-1124 STPSC12065DY Dioda Slottky'ego 650V 12A DO-220AC ; 124-1127 124-1127 STPSC20065DY Dioda Slottky'ego 650V 20A DO-220AC ; 124-1128 124-1128 STPSC20065WY Dioda chottky 650V 20A DO-247 ; 124-1129 124-1129 STPSC40065CWY Dioda Slottky podwójne 650V 20A DO-247 Dalsze informacje: | | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Maksymalny ciągły prąd przewodzenia: | 10A | Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne: | 650V | Konfiguracja diody: | Pojedyncza | Typ prostownika: | Dioda Schottky'ego | Typ diody: | Dioda Schottky'ego SiC | Liczba styków: | 3 | Maksymalny spadek napięcia przewodzenia: | 2.5V | Liczba elementów na układ: | 1 | Technologia diodowa: | Dioda Schottky'ego SiC | Szczytowy niepowtarzalny prąd udarowy przewodzenia: | 470A |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Dioda przełączająca, Diody przełączające, Dioda Schottky'ego, Diody Schottky'ego, Dioda Schottky, Diody Schottky, dioda smd, 1106562, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Diody Schottky'ego i prostownicze, STMicroelectronics, STPSC10H065GYTR |
| | |
| |