|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1254205 Nr producenta:
FM18W08-SG EAN/GTIN:
5059040034327 |
| |
|
| | |
| FRAM, Cypress Semiconductor. Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100. Nieulotna pamięć RAM Duża szybkość zapisu Wysoka wytrzymałość Niski pobór mocy Dalsze informacje: | | Rozmiar pamięci: | 256kbit | Organizacja: | 32K x 8 bitów | Typ złącza: | Równoległy | Szerokość magistrali danych: | 8bit | Maksymalny czas dostępu swobodnego: | 70ns | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | SOIC | Liczba styków: | 28 | Wymiary: | 18.11 x 7.62 x 2.37mm | Długość: | 18.11mm | Maksymalne robocze napięcie zasilania: | 5,5 V | Szerokość: | 7.62mm | Wysokość: | 2.37mm | Maksymalna temperatura robocza: | +85°C | Norma motoryzacyjna: | AEC-Q100 |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1254205, Półprzewodniki, Pamięci, Infineon, FM18W08SG |
| | |
| |