Pamięć równoległa EEPROM Montaż powierzchniowy 1Mbit 32-pinowy PLCC 128 K x 8 bitów

Pamięć EEPROM 1 Mb o wysokiej wydajności oferuje czasy dostępu do 200 ns z rozpraszaniem mocy 54 mW i napięciem zasilania 3,0 V.Funkcje: Pojedynczy zasilacz 3,3 V ±10% Krótki czas dostępu przy odczycie — 200 ns Automatyczny zapis strony Adres wewnętrzny i zatrzaski danych 128 bajtów Wewnętrzny timer sterowania Krótki czas cyklu zapisu Czas cyklu zapisu strony — maks. 10 ms Operacja zapisu strony od 1 do 128 bajtów Niskie rozpraszanie mocy: Prąd w stanie aktywnym 15 mA Prąd w trybie gotowości CMOS 20 μA Sprzętowe i programowe zabezpieczenie danych Odpytywanie w celu wykrywania końca zapisu Technologia CMOS o wysokiej niezawodności Wytrzymałość: 105 cykli Czas przechowywania danych: 10 lat Układ styków o szerokości bajta Zakres temperatur zgodny ze środowiskiem przemysłowym Tylko obudowa proekologiczna (bez ołowiu/halogenków)