|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1784269 Nr producenta:
FFSH30120A EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Diody Schottkyego z węglika krzemu (SiC) korzystają z zupełnie nowej technologii, która zapewnia najwyższą wydajność przełączania i większą niezawodność niż krzem. Brak prądu wstecznego, charakterystyka przełączania niezależna od temperatury i doskonała wydajność termiczna czynią węglik krzemu półprzewodnikiem mocy nowej generacji. Korzyści to między innymi najwyższa sprawność, większa częstotliwość robocza, zwiększona gęstość mocy, zmniejszona wartość EMI oraz zmniejszony rozmiar i koszt układu.Maksymalna temperatura złącza 175°C Dodatni współczynnik temperatury Łatwe szeregowanie Brak odzyskiwania blokowania/przewodnictwa Zastosowania Zabezpieczenie PFC Zasilacz przemysłowy Do instalacji solarnych Ładowarka EV Zasilacze UPS Spawanie Dalsze informacje: | | Typ montażu: | Otwór przezierny | Typ opakowania: | TO-247 | Maksymalny ciągły prąd przewodzenia: | 46A | Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne: | 1200V | Konfiguracja diody: | Pojedyncza | Typ prostownika: | Dioda Schottky'ego | Typ diody: | Dioda Schottky'ego SiC | Liczba styków: | 2 | Liczba elementów na układ: | 1 | Technologia diodowa: | Dioda Schottky'ego SiC | Szczytowy niepowtarzalny prąd udarowy przewodzenia: | 1.5kA |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |