|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1846131 Nr producenta:
V1FL45HM3/H EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Powierzchniowy Rowie MOS bariera prostowniki SchottkyegoRowie MOS technologia Schottkyego Niskoprofilowa obudowa Idealne rozwiązanie do zautomatyzowanego montażu Aplikacje : Do stosowania w wysokich częstotliwości, falowniki, synchronizator, konwertery DC/DC, zabezpieczenie przed odwróceniem polaryzacji w komercyjnych, przemysłowych, a także zastosowań motoryzacyjnych Dalsze informacje: | | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | DO-219AB | Maksymalny ciągły prąd przewodzenia: | 1A | Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne: | 45V | Konfiguracja diody: | Pojedyncza | Typ prostownika: | Prostownik Schottky'ego | Typ diody: | Dioda Schottky'ego | Liczba styków: | 2 | Liczba elementów na układ: | 1 | Technologia diodowa: | Bariera Schottky'ego | Szczytowy niepowtarzalny prąd udarowy przewodzenia: | 30A |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Dioda prostownicza, Diody prostownicze, Dioda SMD, Diody SMD, Dioda Schottky'ego, Diody Schottky'ego, Dioda Schottky, Diody Schottky, dioda 1a, dioda smd, 1846131, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Diody Schottky'ego i prostownicze, Vishay, V1FL45HM3H |
| | |
| |