|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1855349 Nr producenta:
2309412-1 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Rodzaj = Żeński
Typ obudowy = Kąt prosty
Materiał styków = Stop miedzi
Pokrycie styku = Pozłacanie, Niklowane (powłoka podkładowa)
Liczba styków = 260
Raster = 0.5mm
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Metoda zakończenia = Lutowane
Materiał obudowy = Termoplastyczny
Typ SDRAM = SO
Blokowanie = Tak
Rozstaw rzędów = 8.2mm
Maksymalna rezystancja styku = 50.0mΩ
Prąd znamionowy = 500.0mA
Maksymalna temperatura robocza = +85°C Dalsze informacje: | | Rodzaj: | Żeński | Typ gniazda pamięci: | Podstawka DIMM | Typ obudowy: | Kąt prosty | Materiał styków: | Stop miedzi | Pokrycie styku: | Pozłacanie, Niklowane (powłoka podkładowa) | Liczba styków: | 260 | Raster: | 0.5mm | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Metoda zakończenia: | Lutowane | Materiał obudowy: | Termoplastyczny | Typ SDRAM: | SO | Blokowanie: | Tak | Rozstaw rzędów: | 8.2mm | Maksymalna rezystancja styku: | 50.0mΩ | Prąd znamionowy: | 500.0mA |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: gniazdo ic, 1855349, Złącza, Złącza USB, D Sub i złącza komputerowe, Gniazda pamięci, TE Connectivity, 23094121 |
| | |
| |