|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1855906 Nr producenta:
2309412-1 EAN/GTIN:
5059045250050 |
| |
|
| | |
| Te złącza pamięci głównej (TE) są wykonane zgodnie ze standardami branżowymi JEDEC w zakresie modułów pamięci DIMM (Dual In-line Memory modules) i małych modułów DIMM (SO DIMM), jak również niestandardowych modułów pamięci dla aplikacji serwerowych, stacji roboczych, komputerów stacjonarnych, notebooków, pamięci masowej i komunikacji. Nasza oferta gniazd pamięci obejmuje gniazda DDR2, DDR3 i DDR4 generacji. Każda rodzina produktów składa się z kilku pionowych i prostokątnych konfiguracji do montażu powierzchniowego (SMT) i montażu wpuszczanego lutownicy.Zaprojektowany zgodnie ze standardami branżowymi JEDEC w zakresie nowych i istniejących modułów pamięci DIMM Przygotować zatrzaski końcowe do zabezpieczenia modułu, jego wysunięcia i zabezpieczenia przed napięciem mechanicznym Gniazda DIMM są więc oferowane w kilku wysokościach układania, aby zmaksymalizować przestrzeń płyty Zastosowania Serwery Wydajne systemy obliczeniowe (HPC) Stacje robocze Magazyny masowe Sprzęt komunikacyjny Komputery desktop PC Wyposażenie przyrządów Dalsze informacje: | | Rodzaj: | Żeński | Typ gniazda pamięci: | Podstawka DIMM | Typ obudowy: | Kąt prosty | Materiał styków: | Stop miedzi | Pokrycie styku: | Pozłacanie, Niklowane (powłoka podkładowa) | Liczba styków: | 260 | Raster: | 0.5mm | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Metoda zakończenia: | Lutowane | Materiał obudowy: | Termoplastyczny | Typ SDRAM: | SO | Blokowanie: | Tak | Rozstaw rzędów: | 8.2mm | Maksymalna rezystancja styku: | 50.0mΩ | Prąd znamionowy: | 500.0mA |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: gniazdo ic, 1855906, Złącza, Złącza USB, D Sub i złącza komputerowe, Gniazda pamięci, TE Connectivity, 23094121 |
| | |
| |