|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1867452 Nr producenta:
1N3595 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Typ montażu = Otwór przezierny
Typ opakowania = DO-35
Maksymalny ciągły prąd przewodzenia = 200mA
Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne = 150V
Konfiguracja diody = Pojedyncza
Typ prostownika = Małosygnałowa
Typ diody = Prostownik
Liczba styków = 2
Liczba elementów na układ = 1
Szczytowy czas odzyskania blokowania = 3µs
Średnica = 1.91mm
Szczytowy niepowtarzalny prąd udarowy przewodzenia = 4A Dalsze informacje: | | Typ montażu: | Otwór przezierny | Typ opakowania: | DO-35 | Maksymalny ciągły prąd przewodzenia: | 200mA | Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne: | 150V | Konfiguracja diody: | Pojedyncza | Typ prostownika: | Małosygnałowa | Typ diody: | Prostownik | Liczba styków: | 2 | Liczba elementów na układ: | 1 | Szczytowy czas odzyskania blokowania: | 3µs | Średnica: | 1.91mm | Szczytowy niepowtarzalny prąd udarowy przewodzenia: | 4A |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1867452, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Diody Schottky'ego i prostownicze, onsemi, 1N3595 |
| | |
| |