|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1867490 Nr producenta:
MBR5H100MFST1G EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Typ opakowania = DFN
Maksymalny ciągły prąd przewodzenia = 10A
Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne = 100V
Konfiguracja diody = Pojedyncza
Typ prostownika = Prostownik Schottky'ego
Typ diody = Dioda Schottky'ego
Liczba styków = 5
Liczba elementów na układ = 1
Technologia diodowa = Bariera Schottky'ego
Szczytowy niepowtarzalny prąd udarowy przewodzenia = 200A Dalsze informacje: | | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | DFN | Maksymalny ciągły prąd przewodzenia: | 10A | Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne: | 100V | Konfiguracja diody: | Pojedyncza | Typ prostownika: | Prostownik Schottky'ego | Typ diody: | Dioda Schottky'ego | Liczba styków: | 5 | Liczba elementów na układ: | 1 | Technologia diodowa: | Bariera Schottky'ego | Szczytowy niepowtarzalny prąd udarowy przewodzenia: | 200A |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Dioda SMD, Diody SMD, Dioda Schottky'ego, Diody Schottky'ego, Dioda Schottky, Diody Schottky, dioda smd, 1867490, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Diody Schottky'ego i prostownicze, onsemi, MBR5H100MFST1G |
| | |
| |