|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1867752 Nr producenta:
NSR10F40NXT5G EAN/GTIN:
5059045733782 |
| |
|
| | |
| Dioda Schottky jest zoptymalizowana pod kątem niskiego spadku napięcia do przodu i niskiego prądu upływu. Jest ona oferowana w zestawie układów wagi (CSP), który zmniejsza ilość miejsca na płycie. Niska odporność termiczna umożliwia projektantom sprostanie trudnemu zadaniu osiągnięcia wyższej wydajności i spełnienia mniejszych wymagań dotyczących przestrzeni.Bardzo niski spadek napięcia jazdy do przodu (VF) Bardzo duża szybkość przełączania Klasyfikacja ESD, Human Body Model: Klasa 3B. Model maszyny: Klasa C Niski prąd cofania 10 A przy 10 V VR Korzyści Lepsza wydajność Lepsza wydajność przełączania Wysokie parametry ESD Produkty końcowe Systemy GPS Produkt przenośny/konsumencki Zastosowania Podświetlenie LED Napięcie wsteczne i zabezpieczenie prądowe Dalsze informacje: | | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | DSN (0502) | Maksymalny ciągły prąd przewodzenia: | 1A | Konfiguracja diody: | Pojedyncza | Typ prostownika: | Dioda Schottky'ego | Typ diody: | Dioda Schottky'ego | Liczba styków: | 2 | Maksymalny spadek napięcia przewodzenia: | -490mV | Liczba elementów na układ: | 1 | Technologia diodowa: | Bariera Schottky'ego | Szczytowy niepowtarzalny prąd udarowy przewodzenia: | 18A |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Dioda Schottky'ego, Diody Schottky'ego, Dioda Schottky, Diody Schottky, dioda 1a, dioda smd, 1867752, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Diody Schottky'ego i prostownicze, onsemi, NSR10F40NXT5G |
| | |
| |