|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1869193 Nr producenta:
1N5221B EAN/GTIN:
5059045739319 |
| |
|
| | |
| Konfiguracja diody = PojedynczaV
Liczba elementów na układ = 1
Maksymalna strata mocy = 500 mW
Typ opakowania = DO-35
Typ diody Zenera = Ogólnego zastosowania
Tolerancja napięcia diody Zenera = 5%
Liczba styków = 2
Prąd testowy = 20mA
Maksymalna impedancja przebicia = 1200 Ω @ 0.25, 30 Ω @ 20 mA
Maksymalny wsteczny prąd upływowy = 100µA
Wymiary = 1.91 (Dia.) x 4.56mm
Minimalna temperatura robocza = -65°CV Dalsze informacje: | | Konfiguracja diody: | Pojedyncza | Napięcie znamionowe diody Zenera: | 2.4V | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba elementów na układ: | 1 | Maksymalna strata mocy: | 500 mW | Typ opakowania: | DO-35 | Typ diody Zenera: | Ogólnego zastosowania | Tolerancja napięcia diody Zenera: | 5% | Liczba styków: | 2 | Prąd testowy: | 20mA | Maksymalna impedancja przebicia: | 1200 Ω @ 0.25, 30 Ω @ 20 mA | Maksymalny wsteczny prąd upływowy: | 100µA | Wymiary: | 1.91 (Dia.) x 4.56mm | Prąd przewodzenia: | 200mA | Napięcie przewodzenia: | 1.2V |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: dioda zenera, 1869193, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, 1N5221B |
| | |
| |