|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1958715 Nr producenta:
FFSD0865B-F085 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Diody Schottkyego z węglika krzemu (SiC) korzystają z zupełnie nowej technologii, która zapewnia najwyższą wydajność przełączania i większą niezawodność niż krzem. Brak prądu wstecznego, charakterystyka przełączania niezależna od temperatury i doskonała wydajność termiczna czynią węglik krzemu półprzewodnikiem mocy nowej generacji. Korzyści to między innymi najwyższa sprawność, większa częstotliwość robocza, zwiększona gęstość mocy, zmniejszona wartość EMI oraz zmniejszony rozmiar i koszt układu.Maksymalna temperatura złącza 175°C Spełnia wymagania w zakresie PPAP Wysoka odporność na przepięcia Dodatni współczynnik temperatury Łatwe szeregowanie Brak odzyskiwania blokowania/przewodnictwa Zastosowania Ładowarki samochodowe HEV-EV Przetwornice samochodowe DC-DC HEV-EV Dalsze informacje: | | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | DPAK | Maksymalny ciągły prąd przewodzenia: | 11.6A | Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne: | 650V | Konfiguracja diody: | Pojedyncza | Typ prostownika: | Dioda Schottky'ego | Typ diody: | Dioda Schottky'ego SiC | Liczba styków: | 3 | Liczba elementów na układ: | 1 | Technologia diodowa: | Dioda Schottky'ego SiC |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Dioda Schottky'ego, Diody Schottky'ego, Dioda Schottky, Diody Schottky, dioda smd, 1958715, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Diody Schottky'ego i prostownicze, onsemi, FFSD0865BF085 |
| | |
| |