|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-2010878 Nr producenta:
STPSC8H065DLF EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Dioda STMicroelectronics 650V schottkyego z węglika krzemu ma prąd znamionowy 8A. Jest to dioda schottkyego o bardzo dużej mocy. Jest ona produkowana z wykorzystaniem podłoża z węglika krzemu. Umożliwia on uzyskanie niskiego spadku napięcia związanego z wysokimi możliwościami pompażu w środowisku o niskiej powierzchni, takim jak telekomunikacja i sieć, sektor przemysłowy lub sektor energii odnawialnej.Pakiet o wysokości poniżej 1 mm Pakiet o wysokiej jakości przesączania Zerowy lub pomijalny ładunek zwrotny Działanie przełączania niezależne od temperatury Wysokie przepięcie w kierunku przewodzenia Dalsze informacje: | | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | PowerFlat 8x8 HV | Maksymalny ciągły prąd przewodzenia: | 8A | Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne: | 650V | Konfiguracja diody: | Pojedyncza | Liczba styków: | 5 | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Dioda Schottky'ego, Diody Schottky'ego, Dioda Schottky, Diody Schottky, dioda smd, 2010878, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Diody Schottky'ego i prostownicze, STMicroelectronics, STPSC8H065DLF |
| | |
| |