Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  >  > Artykuł

MOSFET N-kanałowy 165.3 A TO-220AB 850 V 0.25 Ω


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2282879
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SIHP21N80AEF-GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
2282879
Półprzewodniki
Elementy dyskretne
Tranzystory MOSFET
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 165.3 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V
Typ opakowania = TO-220AB
Typ montażu = Otwór przezierny
Liczba styków = 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.25 Ω
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 4V
Materiał tranzystora = Si
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
165.3 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
850 V
Typ opakowania:
TO-220AB
Seria:
E Series
Typ montażu:
Otwór przezierny
Liczba styków:
3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:
0.25 Ω
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:
4V
Liczba elementów na układ:
1
Materiał tranzystora:
Si
Dalsze słowa kluczowe: Vishay, SIHP21N80AEFGE3
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 7,623*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 5 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 5 szt.
PLN 15,075*
PLN 18,542
za szt.
od 10 szt.
PLN 14,955*
PLN 18,395
za szt.
od 25 szt.
PLN 14,235*
PLN 17,509
za szt.
od 50 szt.
PLN 12,566*
PLN 15,456
za szt.
od 100 szt.
PLN 12,366*
PLN 15,21
za szt.
od 125 szt.
PLN 11,676*
PLN 14,361
za szt.
od 250 szt.
PLN 10,032*
PLN 12,339
za szt.
od 500 szt.
PLN 8,653*
PLN 10,643
za szt.
od 15000 szt.
PLN 7,623*
PLN 9,376
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.