|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-7815638 Nr producenta:
MBR150G EAN/GTIN:
5059042795271 |
| |
|
| | |
| Produkty z numerami części producenta NSV-, SBR- lub S-predefined Manufacturer są kwalifikowane do zastosowania w motoryzacji AEC-Q101. O diodach Semiconductor Schottky Barrier. Ten ON Semiconductor Schottky'y'ego z zastosowaniem zasady bariery Schottky'ego używa metalu barierowego do stworzenia najlepszej wymiany prądu w pętli zwrotnej. Nadaje się do nisko napięciowych, wysokoczęstotliwościowych korekcji, jak również diod wolnej jazdy i polaryzacji w wielu zastosowaniach montażu powierzchniowego, gdzie kluczowe znaczenie ma bardziej zwarta wielkość i waga. Bezpłatna Zaprojektowany pod kątem optymalnego zautomatyzowanego zespołu płyty głównej Ochrona przed stresem Przykształtowany futerał epoksydowy Lekka paczka 11,7 mg Dalsze informacje: | | Typ montażu: | Otwór przezierny | Typ opakowania: | DO-41 | Maksymalny ciągły prąd przewodzenia: | 1A | Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne: | 50V | Konfiguracja diody: | Pojedyncza | Typ diody: | Dioda Schottky'ego | Liczba styków: | 2 | Maksymalny spadek napięcia przewodzenia: | 750mV | Liczba elementów na układ: | 1 | Technologia diodowa: | Schottky'ego | Średnica: | 2.7mm | Szczytowy niepowtarzalny prąd udarowy przewodzenia: | 25A |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |