|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-7878557 Nr producenta:
NE5517DR2G EAN/GTIN:
5059042001464 |
| |
|
| | |
| Ne5517, Podwójny wzmacniacz przewodności, ON Semiconductor. Stałe bufory impedancji Doskonałe dopasowanie pomiędzy wzmacniaczami Liniowy podział diod Stosunek sygnał / szum na wyjściu o wysokiej częstotliwości Dalsze informacje: | | Typ wzmacniacza: | Transprzewodność | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | SOIC | Typ zasilania: | Podwójne, pojedyncze | Liczba kanałów na układ: | 2 | Liczba styków: | 16 | Typowe napięcie pojedynczego zasilania: | 30 V | Typowa dobroć wzmacniacza: | 2MHz | Typowe napięcie podwójnego zasilania: | ±15V | Typowa szybkość narastania napięcia wyjściowego: | 50V/µs | Maksymalna temperatura robocza: | +70°C | Minimalna temperatura robocza: | 0°C | Szyna-szyna: | Nie | Wymiary: | 10 x 4 x 1.5mm | Wysokość: | 1.5mm |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: wzmacniacz operacyjny, 7878557, Półprzewodniki, Wzmacniacze i komparatory, onsemi, NE5517DR2G |
| | |
| |