|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-7916325 Nr producenta:
RB521S30T1G EAN/GTIN:
5059042493597 |
| |
|
| | |
| Produkty z numerami części producenta NSV-, SBR- lub S-predefined Manufacturer są kwalifikowane do zastosowania w motoryzacji AEC-Q101. O diodach Semiconductor Schottky Barrier. Ten ON Semiconductor Schottky'y'ego z zastosowaniem zasady bariery Schottky'ego używa metalu barierowego do stworzenia najlepszej wymiany prądu w pętli zwrotnej. Nadaje się do nisko napięciowych, wysokoczęstotliwościowych korekcji, jak również diod wolnej jazdy i polaryzacji w wielu zastosowaniach montażu powierzchniowego, gdzie kluczowe znaczenie ma bardziej zwarta wielkość i waga. Bezpłatna Zaprojektowany pod kątem optymalnego zautomatyzowanego zespołu płyty głównej Ochrona przed stresem Przykształtowany futerał epoksydowy Lekka paczka 11,7 mg Dalsze informacje: | | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | SOD-523 | Maksymalny ciągły prąd przewodzenia: | 200mA | Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne: | 30V | Konfiguracja diody: | Pojedyncza | Typ prostownika: | Dioda Schottky'ego | Typ diody: | Dioda Schottky'ego | Liczba styków: | 2 | Maksymalny spadek napięcia przewodzenia: | 500mV | Liczba elementów na układ: | 1 | Technologia diodowa: | Bariera Schottky'ego | Szczytowy niepowtarzalny prąd udarowy przewodzenia: | 1A |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Dioda Schottky'ego, Diody Schottky'ego, Dioda Schottky, Diody Schottky, dioda 1a, dioda smd, 7916325, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Diody Schottky'ego i prostownicze, onsemi, RB521S30T1G |
| | |
| |