| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7969612 Nr producenta: BAT42WS RR EAN/GTIN: 5059041658898 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Diody Schottky Barrier, do 1A, Taiwan Semiconductor. Niska utrata mocy Spadek niskiego napięcia ściętego do tyłu Wysoka wydajność prądowa Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | SOD-323F | Maksymalny ciągły prąd przewodzenia: | 200mA | Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne: | 30V | Konfiguracja diody: | Pojedyncza | Typ prostownika: | Dioda Schottky'ego | Typ diody: | Dioda Schottky'ego | Liczba styków: | 2 | Maksymalny spadek napięcia przewodzenia: | 650mV | Liczba elementów na układ: | 1 | Technologia diodowa: | Schottky'ego | Szczytowy czas odzyskania blokowania: | 5ns | Szczytowy niepowtarzalny prąd udarowy przewodzenia: | 4A |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: Dioda Schottky'ego, Diody Schottky'ego, Dioda Schottky, Diody Schottky, dioda 1a, dioda smd, 7969612, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Diody Schottky'ego i prostownicze, Taiwan Semiconductor, BAT42WSRR |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |