|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-8054456 Nr producenta:
SB05W05C-TB-E EAN/GTIN:
5059042351774 |
| |
|
| | |
| Produkty z numerami części producenta NSV-, SBR- lub S-predefined Manufacturer są kwalifikowane do zastosowania w motoryzacji AEC-Q101. O diodach Semiconductor Schottky Barrier. Ten ON Semiconductor Schottky'y'ego z zastosowaniem zasady bariery Schottky'ego używa metalu barierowego do stworzenia najlepszej wymiany prądu w pętli zwrotnej. Nadaje się do nisko napięciowych, wysokoczęstotliwościowych korekcji, jak również diod wolnej jazdy i polaryzacji w wielu zastosowaniach montażu powierzchniowego, gdzie kluczowe znaczenie ma bardziej zwarta wielkość i waga. Bezpłatna Zaprojektowany pod kątem optymalnego zautomatyzowanego zespołu płyty głównej Ochrona przed stresem Przykształtowany futerał epoksydowy Lekka paczka 11,7 mg Dalsze informacje: | | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | SOT-23 | Maksymalny ciągły prąd przewodzenia: | 500mA | Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne: | 50V | Konfiguracja diody: | Wspólna katoda | Typ prostownika: | Dioda Schottky'ego | Typ diody: | Dioda Schottky'ego | Liczba styków: | 3 | Maksymalny spadek napięcia przewodzenia: | 550mV | Liczba elementów na układ: | 2 | Technologia diodowa: | Bariera Schottky'ego | Szczytowy czas odzyskania blokowania: | 10ns | Szczytowy niepowtarzalny prąd udarowy przewodzenia: | 5A |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Dioda Schottky'ego, Diody Schottky'ego, Dioda Schottky, Diody Schottky, dioda smd, 8054456, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Diody Schottky'ego i prostownicze, onsemi, SB05W05CTBE |
| | |
| |