Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Artykuł

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 250W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-APTCV60HM45RCT3G
Producent:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Nr producenta:
     APTCV60HM45RCT3G
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
Moduł IGBT
Moduły IGBT
moduł igbt
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI)
Obudowa: SP3F
Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor
Napięcie dren-źródło: 600V
Prąd drenu: 38A
Prąd kolektora: 50A
Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ
Moc rozpraszana: 250W
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: tranzystorowy MOSFET/IGBT
Technologia: SiC;CoolMOS™;Trench;Field Stop
Napięcie bramka-źródło: ±20V
Topologia: termistor NTC;mostek H;mostek 1-fazowy diodowy
Prąd drenu w impulsie: 130A
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 456,09*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 650,86*
PLN 800,56
za szt.
od 2 szt.
PLN 644,58*
PLN 792,83
za szt.
od 3 szt.
PLN 577,04*
PLN 709,76
za szt.
od 5 szt.
PLN 547,89*
PLN 673,90
za szt.
od 10 szt.
PLN 479,86*
PLN 590,23
za szt.
od 500 szt.
PLN 456,09*
PLN 560,99
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.