|  |
| |
| Nr artykułu:
8WVXN-SEMIX303GB12E4I50P Nr producenta:
SEMIX303GB12E4I50P 27897007 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: SEMiX® 3p
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 300A
Prąd kolektora w impulsie: 900A
Zastosowanie: do UPS;falownik;przemiennik częstotliwości;fotowoltaika
Montaż elektryczny: Press-Fit;przykręcany
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: termistor;półmostek IGBT;bocznik prądowy |
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, DIN-bocznik, DIN-boczniki, Bocznik, Boczniki, UPS, USV, Zasilacz awaryjny UPS, Zasilacz UPS, Zasilacz awaryjny, Zasilacze awaryjne, Zasilacz bezprzerwowy, Zasilacze bezprzerwowe, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką |
| | |
| |