Samsung 850 EVO 2.5" 1 TB Serial ATA III MLC

Co to jest technologia V-NAND 3D i czym się różni od obecnego rozwiązania?
Unikalna innowacyjna architektura pamięci flash V-NAND 3D firmy Samsung to przełom w pokonywaniu ograniczeń związanych z gęstością, wydajnością i wytrzymałością konwencjonalnej architektury dwuwymiarowej typu NAND. Technologia V-NAND 3D powstaje poprzez ułożenie 32 warstw komórek jedna na drugiej zamiast stosowania mniejszych komórek układanych poziomo jedna obok drugiej. Takie rozwiązanie zapewnia wzrost gęstości i lepsze wykorzystanie przestrzeni.

Optymalizacja obliczeń dzięki technologii TurboWrite.
Uzyskaj najwyższą wydajność odczytu / zapisu z myślą o przyspieszeniu codziennych obliczeń dzięki technologii TurboWrite firmy Samsung. Użytkownik zyskuje nie tylko o ponad 10% lepsze walory użytkowe w porównaniu z modelem 840 EVO*, ale także do 1,9 raza większe prędkości zapisu losowego w przypadku modeli 120 / 250 GB**. Model 850EVO gwarantuje najwyższą w swojej klasie wydajność w zakresie prędkości sekwencyjnego odczytu (540 MB/s) i zapisu (520 MB/s). Użytkownik uzyskuje także wzrost wydajności procesów losowych we wszystkich kropkach kwantowych niezależnie od zastosowania.
*PCmark7 (250 GB ): 6 700 (840 EVO) > 7 600 (850 EVO).
**Zapis losowy (QD32,120 GB): 36 000 operacji/s (840 EVO) > 88 000 operacji/s (850 EVO)).

Osiągaj jeszcze większe prędkości z ulepszonym trybem RAPID.
Oprogramowanie Magician firmy Samsung oferuje dostęp do trybu Rapid, który zapewnia dwukrotnie szybsze przetwarzanie danych* na poziomie systemu poprzez użycie niewykorzystanej pamięci komputera PC (DRAM) jako pamięci podręcznej. W swojej najnowszej wersji oprogramowanie Magician oferuje wzrost maksymalnego wykorzystania pamięci w trybie Rapid z 1 GB w modelu 840 EVO do 4 GB w modelu 850 EVO z układami DRAM o pojemności 16 GB. Użytkownik może także liczyć na dwukrotny wzrost wydajności* niezależnie od głębokości kolejki odczytu/zapisu losowego
*PCMARK7 RAW (250 GB): 7 500 > 15 000 (tryb Rapid).

Gwarantowana trwałość i niezawodność uzupełniona technologią V-NAND 3D.
Model 850 EVO zapewnia gwarantowany poziom trwałości i niezawodności poprzez podwojenie wskaźnika TBW* w stosunku do modelu poprzedniej generacji, tj. 840 EVO**, w ramach najdłuższej na rynku, bo pięcioletniej gwarancji. Minimalny poziom spadku wydajności oznacza, że model 850 EVO zapewnia zachowanie parametrów użytkowych o 30% wyższych w porównaniu z modelem 840 EVO, stając się jednym z najbardziej niezawodnych modeli urządzeń pamięci masowej***.
*TBW: Total Bytes Written (bajty zapisane ogółem).
**TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB).
***Zachowane parametry użytkowe (250 GB): 3 300 operacji/s (840 EVO) > 6 500 operacji/s (850 EVO); wydajność mierzona po 12-godzinnym teście zapisu losowego.

Niższe zużycie energii przez technologię V-NAND 3D to źródło wydłużenia czasu trwania operacji obliczeniowych.
Model 850 EVO zapewnia znacząco dłuższy czas działania akumulatora w notebooku z kontrolerem zoptymalizowanym pod kątem technologii V-NAND 3D, oferując obecnie zużycie energii w stanie uśpienia na poziomie 2 mW. Model 850 EVO jest teraz o 25% bardziej energooszczędny w porównaniu z modelem 840 EVO podczas wykonywania operacji zapisu*, co zawdzięcza temu, że technologia V-NAND 3D zużywa jedynie połowę energii potrzebnej do zasilania architektury dwuwymiarowej NAND.
*Pobór mocy (250 GB): 3,2 W (840 EVO) > 2,4 W (850 EVO).