 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 240A Czas załączania: 52ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA60B |
od PLN 40,83*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) ON Semiconductor NFVA22512NP2T to Advanced Auto IPM, który zapewnia w pełni funkcjonalny, wysokowydajny układ wyjściowy falownika do pojazdów hybrydowych i elektrycznych.Wbudowany termistor NTC do ... |
|
od PLN 412,266*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 12,152*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA90S |
od PLN 49,86*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 23,003*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 27A; 223W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w impulsie: 79A Czas załączania: 18ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT27GA90BD15 |
od PLN 26,76*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 7 515 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 515 W |
Infineon FP100R12KT4B11BOSA1 |
od PLN 874,62*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,14*
za szt. |
|
|
|
Mitsubishi CM600DX -24T 300G |
od PLN 7 805,07*
za 9 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA90B |
od PLN 45,39*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 210 W (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 210 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczba styków = 3 |
|
od PLN 8,452*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 43A Prąd kolektora w impulsie: 129A Czas załączania: 28ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT43GA90BD30 |
od PLN 33,17*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 230 W (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 230 W Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 8,98*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 10A; 280W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 84A Czas załączania: 21ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 35,87*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 600 V 2 94x34mm Dwa 775 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 775 W Typ opakowania = 94x34mm Konfiguracja tra... |
Mitsubishi CM100DY-13T300G |
od PLN 3 619,47*
za 10 szt. |
|
|
