Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduł IGBT

  Moduł IGBT  (1 576 ofert spośród 5 379 859 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Moduł IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Moduł IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 324A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAL12E4 22892314
PLN 844,79*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 6 Moduł Sześciopak kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mo...
Infineon
FS150R12N2T7BPSA1
PLN 603,401*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mo...
Infineon
FP200R12N3T7BPSA1
PLN 773,744*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; 1,47kW (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w im...
Infineon
FD300R12KE3HOSA1
PLN 960,40*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 6 Moduł Sześciopak kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mo...
Infineon
FS150R12N2T7BPSA1
PLN 673,89*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 324A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GAL12E4 22892334
PLN 804,90*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 310 A Uce 950 V Moduł EasyPACK 20 mW (1 Oferta) 
Tranzystory IGBT
Infineon
SP005434947
PLN 1 511,33*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 160 A Uce 1200 V 1 Pojedynczy kanał: N (2 ofert) 
Moduł Semikron Semitrans 2 FAST IGBT 4 należy do generacji IGBT4, która może być preferowanym wyborem do zastosowań takich jak pojazdy hybrydowe lub elektryczne, spawacze elektroniczne przy przełąc...
Semikron Danfoss
SKM100GAL12T4
PLN 289,17*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Tranzystory IGBT
Infineon
FP200R12N3T7BPSA1
PLN 1 279,89*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 25A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 7,5kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolekt...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 23NAB12T4V1 25231410
PLN 796,00*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon...
Infineon
FP35R12N2T7B11BPSA1
PLN 344,454*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 20A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GAL125D 22890740
PLN 1 022,24*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 310 A Uce 950 V Moduł EasyPACK 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 310 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł EasyPACK
Infineon
SP005434947
PLN 1 373,58*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 30A (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SMPD-B...
IXYS
IXA30RG1200DHGLB
PLN 31,11*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 450 Uce 1200 V 2 Moduł Półmostek układ podwójny kanał: N (1 Oferta) 
Mitsubishi Electric 1200V podwójnego modułu IGBT ma płaską podstawę i sześć sterowników na moduł o niskim profilu. Ma 300A ciągłego prądu kolektora i nadaje się do twardych przełączania i miękkich ...
Mitsubishi
CM450DX -24T 300G
PLN 901,65*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   106   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.