Podgląd | "MOSFET"Pojęcia nadrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
MOSFET N-kanałowy 1,9 A SO-8 150 V SMD (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ... |
|
od PLN 1,74*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 300mA, SOT-523 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP232N03015R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-ź... |
Torex Semiconductor XP232N03015R-G |
od PLN 0,52*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 6,28*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 1,6 A TO-220FM 800 V 4.2 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = TO-220FM Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źr... |
ROHM Semiconductor R8002KNXC7G |
od PLN 3,517*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology MIC2026-2YM |
od PLN 2,99*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 300mA, SOT-723 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP232N03017R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-ź... |
Torex Semiconductor XP232N03017R-G |
od PLN 0,48*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 1,9 A TO-252 80 V SMD 2.8 Ω (1 Oferta) Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET, zwanych również tranzystorem MOSFET, oznacza „tranzystory polowe z tlenkiem metalu półprzewodników”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi st... |
|
od PLN 2,597*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology MIC2025-2YMM |
od PLN 1,662*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,599*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 1,6 A TO-220FM 800 V 4.2 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = TO-220FM Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źr... |
ROHM Semiconductor R8002KNXC7G |
od PLN 6,848*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology MIC2009YM6-TR |
od PLN 3,428*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 40A, TO-220AB (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP40NF03L, Ciągły prąd drenu (Id)=40 A, Czas narastania=80 ns, Czas opadania=16 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=25 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 5,69*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 20A, TO-247 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFP460LCPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=20 A, Czas narastania=77 ns, Czas opadania=43 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=40 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 7,299*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 1,9 A SOT-363 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SOT-363 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzen... |
|
od PLN 2 281,89*
za 3 000 szt. |
| |
|
Microchip Technology TC4451VAT |
od PLN 14,71*
za szt. |
| |
|
