Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 624 ofert spośród 4 795 418 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W P...
Infineon
IPW60R031CFD7
od PLN 42,60*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 47 A TO-247 650 V 0.034 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.03...
Infineon
IMW65R027M1HXKSA1
od PLN 62,91*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5,3 A SO-8 60 V SMD 0.072 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr...
Vishay
SI4900DY-T1-E3
od PLN 1,575*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT66F60L
od PLN 86,83*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSO604NS2XUMA1
od PLN 8 244,175*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7,3A; 63W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W P...
Infineon
IPP60R600C6XKSA1
od PLN 2,72*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5,2 A TO-220 FP 650 V 1.5 omów (1 Oferta) 
Infineon CoolMOS™ CE jest odpowiedni do twardych i miękkich zastosowań przełączania, a jako nowoczesny superwęzeł zapewnia niskie straty przewodzenia i przełączania, poprawiając wydajność i ostatec...
Infineon
IPA65R1K5CEXKSA1
od PLN 2,515*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 47 A TO-247-4L 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4
onsemi
NTH4L060N065SC1
od PLN 36,987*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 26A; 460W; TO247-3; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460...
IXYS
IXTH26N60P
od PLN 20,79*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5,4 A SOT-23 30 V SMD 0.3 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = DMN3069L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Diodes
DMN3069L-7
od PLN 845,13*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 47A; 417W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT47N60BC3G
od PLN 69,95*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A SOP 60 V SMD 0.048 omów (1 Oferta) 
MOSFET klasy motoryzacyjnej ROHM SP8K33HZG n, który jest zgodny z normą EC-Q101. W pakiecie SOP8 znajdują się dwa tranzystory MOSFET NCH 60V. Wbudowana dioda zabezpieczająca przed ESD. Idealne do p...
ROHM Semiconductor
SP8K33HZGTB
od PLN 3,229*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 70A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXKH70N60C5
od PLN 66,52*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5,2 A TO-263-7 1700 V SMD 1000 m.Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1700 V Seria = IMBF1 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
IMBF170R1K0M1XTMA1
od PLN 10,875*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6013LLLG
od PLN 99,07*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   801   802   803   804   805   806   807   808   809   810   811   ..   1442   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.