renesas electronics  (3 344 ofert spośród 5 380 125 artykułów)

SRAM

SRAM

Rozmiar pamięci = 1Mbit Organizacja = 64K x 16 Liczba słów = 64k Liczba bitów w słowie = 16bit Maksymalny czas dostępu swobodnego = 20ns

Seria układów logicznych = 74LV Funkcja logiczna = Bufor Liczba kanałów na układ = 4 Typ wejścia = O pojedynczej końcówce Typ wyjścia = 3 stany

Typ układu logicznego = NMOS Prąd wyjściowy = 3400 ma Napięcie zasilania = 18V Liczba styków = 10 Typ opakowania = DFNns Typ sterownika = MOSFET

Rozmiar pamięci = 4Mbit Organizacja = 256K x 16 Liczba słów = 256K Liczba bitów w słowie = 16bit Maksymalny czas dostępu swobodnego = 15ns Niski pobór energii = Tak Typ pomiaru czasu = Asynchronicz...

Dwuportowa statyczna pamięć RAM Renesas Electronics 70V261 o dużej szybkości 16K x 16 została zaprojektowana do stosowania jako autonomiczna dwuportowa pamięć RAM lub jako kombinacja DWUPORTOWEJ pa...

Seria układów logicznych = CMOS Funkcja logiczna = Bufor, sterownik liniowy Typ wyjścia = 3 stany

Typ układu logicznego = CMOS, TTL Prąd wyjściowy = 1,25 A Napięcie zasilania = 15V Liczba styków = 16 Typ opakowania = PDIP Typ sterownika = MOSFET Topologia = Pełny mostek Zależność strony wysokie...

Wysokość = 1mm Szerokość = 10.16mm

Rozmiar pamięci = 4Mbit Organizacja = 256k x 16 bitów Liczba słów = 256k Liczba bitów w słowie = 16bit Maksymalny czas dostępu swobodnego = 12ns Niski pobór energii = Tak Typ pomiaru czasu = Asynch...

Seria układów logicznych = CMOS Funkcja logiczna = Bufor, sterownik liniowy Typ wyjścia = 3 stany

Renesas Electronics to podwójny sterownik MOSFET o dużej prędkości. Jest zgodny z rodziny logiki 3,3 V i 5 V. Urządzenie jest wyposażone w tryb oszczędzania energii, który zapewnia niskie zużycie e...

Pamięć SRAM 3V CMOS Renesas Electronics serii 71V416 jest zorganizowana w formacie 256K x 16. Wszystkie dwukierunkowe wejścia i wyjścia modelu 71V416 są zgodne z LVTTL i są zasilane jednym napięcie...

SRAM