Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 067 ofert spośród 4 795 407 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolarny; 100V; 2,4A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT89 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 4W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJH03N10A
od PLN 1,45*
za 5 szt.
 
 opakowania
Moduł IGBT Ic 650 A Uce 150 V Moduł 335 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 650 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 150 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 335 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M...
Infineon
F3L150R07W2E3B11BOMA1
od PLN 325,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,19A; Idm: 1,2A (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,83W Polaryzacja...
Nexperia
2N7002,215
od PLN 0,138*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 AG-62MM Szereg kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = AG-62MM Typ kanału = N Konfig...
Infineon
FF600R12KT4HOSA1
od PLN 907,692*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,28A; Idm: 1,2A (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,42W Polaryzacja...
Nexperia
2N7002P,215
od PLN 0,142*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 73 A Uce 1000 V 6 93x47 (LUT PIN) (Pb-Free i Halide-Free Solder pins), Q2BOOST - PIM53 79 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 73 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1000 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 79 W
onsemi
NXH300B100H4Q2F2SG
od PLN 1 469,897*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 36-pinowy 2 A SOIC-36 2ED020I12FAXUMA2 CMOS 20V (1 Oferta) 
Typ układu logicznego = CMOS Prąd wyjściowy = 2 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 36 Typ opakowania = SOIC-36ns
Infineon
2ED020I12FAXUMA2
od PLN 26,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolarny; 60V; 0,272A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,272A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
2N7002W
od PLN 0,985*
za 25 szt.
 
 opakowanie
Moduł IGBT Ic 70 A Uce 650 V 4 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
F3L100R07W2H3B11BPSA1
od PLN 233,137*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SC70;SOT323 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,26W Polaryzacja...
Nexperia
2N7002PW,115
od PLN 0,16*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 ECONOD Dwa kanał: N 20 mW (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = ECONOD Typ kanału = N K...
Infineon
IFF600B12ME4PB11BPSA1
od PLN 1 009,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Trench™; unipolarny; 100V; 160A; 430W; 60ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 60ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 160A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 430W ...
IXYS
IXTP160N10T
od PLN 10,03*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 4 Q0PACK - Case 180AB (bez Pb i bez Halide) 188 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 188 W Typ opakowania = Q0PACK - Case 180AB (be...
onsemi
NXH80T120L3Q0S3G
od PLN 302,407*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 1A; 63W; TO220AB; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W P...
IXYS
IXTP1N120P
od PLN 10,22*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 1,9 A SOIC NCD57201DR2G 20V (1 Oferta) 
ON Semiconductor NCx57201 to wysokoprzepięciowy sterownik bramki z jednym nieizolowanym sterownikiem bramki po stronie niskiej i jednym galwanicznie izolowanym sterownikiem bramki po stronie wysoki...
onsemi
NCD57201DR2G
od PLN 2,896*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   441   442   443   444   445   446   447   448   449   450   451   ..   1338   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.