|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1885423 Nr producenta:
FM25V20A-G EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| FRAM, Cypress Semiconductor. Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100. Nieulotna pamięć RAM Duża szybkość zapisu Wysoka wytrzymałość Niski pobór mocy Dalsze informacje: | | Rozmiar pamięci: | 2Mbit | Organizacja: | 256k x 8 bitów | Typ złącza: | SPI | Szerokość magistrali danych: | 8bit | Maksymalny czas dostępu swobodnego: | 16ns | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | SOIC | Liczba styków: | 8 | Wymiary: | 5.33 x 5.33 x 1.78mm | Długość: | 5.33mm | Maksymalne robocze napięcie zasilania: | 3,6 V | Szerokość: | 5.33mm | Wysokość: | 1.78mm | Maksymalna temperatura robocza: | +85°C | Minimalne robocze napięcie zasilania: | 2 V |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1885423, Półprzewodniki, Pamięci, Infineon, FM25V20AG |
| | |
| |