MOSFET N-kanałowy 10 A TO-220 800 V Pojedynczy 300 W 1,1 oma

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-194057

Producent:
IXYS

Nr producenta:
IXFP10N80P

EAN/GTIN:
5059041204774

Słowa kluczowe:

N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Polar™. Tranzystory N-kanałowe Power MOSFET z szybką diodą intrincyjną (HiPerFET™) firmy IXYS

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	10 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	800 V
Typ opakowania:	TO-220
Seria:	HiperFET, Polar
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	1,1 oma
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	5.5V
Maksymalna strata mocy:	300 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-30 V, +30 V
Długość:	10.66mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150 °C

Dalsze słowa kluczowe: 194057, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, IXYS, IXFP10N80P

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 9,801*

Cena obowiązuje od 7 500 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 12,471*	PLN 15,339	za szt.
od 5 szt.	PLN 12,301*	PLN 15,13	za szt.
od 10 szt.	PLN 12,201*	PLN 15,007	za szt.
od 20 szt.	PLN 11,911*	PLN 14,651	za szt.
od 50 szt.	PLN 11,211*	PLN 13,79	za szt.
od 7500 szt.	PLN 9,801*	PLN 12,055	za szt.