MOSFET P-kanałowy 210 mA SOT 60 V SMD

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-2523115

Producent:
ROHM Semiconductor

Nr producenta:
BSS84WAHZGT106

EAN/GTIN:
brak danych

Słowa kluczowe:

Typ kanału = P
Maksymalny ciągły prąd drenu = 210 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V
Typ opakowania = SOT
Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Dalsze informacje:


Typ kanału:	P
Maksymalny ciągły prąd drenu:	210 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60 V
Typ opakowania:	SOT
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy

Dalsze słowa kluczowe: 2523115, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, ROHM, BSS84WAHZGT106

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

PLN 0,578*

Cena obowiązuje od 3 000 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 3 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 3000 szt.	PLN 0,578*	PLN 0,711	za szt.
od 6000 szt.	PLN 0,558*	PLN 0,686	za szt.
od 15000 szt.	PLN 0,538*	PLN 0,662	za szt.
od 30000 szt.	PLN 0,528*	PLN 0,649	za szt.
od 1500000 szt.	PLN 0,518*	PLN 0,637	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.