MOSFET N-kanałowy 1.7 A HVMDIP 60 V Pojedynczy 1.3 W 200 miliomów

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-5430478

Producent:
Vishay

Nr producenta:
IRLD014PBF

EAN/GTIN:
5059040890992

Słowa kluczowe:

MOSFET, kanał N, od 60 V do 90 V, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	1.7 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60 V
Typ opakowania:	HVMDIP
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	4
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	200 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	1V
Maksymalna strata mocy:	1.3 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-10 V, +10 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175 °C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: 5430478, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, IRLD014PBF

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 5,734*

Cena obowiązuje od 15 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 7,444*	PLN 9,156	za szt.
od 10 szt.	PLN 7,184*	PLN 8,836	za szt.
od 20 szt.	PLN 7,154*	PLN 8,799	za szt.
od 50 szt.	PLN 6,804*	PLN 8,369	za szt.
od 100 szt.	PLN 6,564*	PLN 8,074	za szt.
od 15000 szt.	PLN 5,734*	PLN 7,053	za szt.