IGBT Ic 80 A Uce 650 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 375 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8294666

Producent:
ST Microelectronics

Nr producenta:
STGWT60H65DFB

EAN/GTIN:
5059042012583

Słowa kluczowe:

Dyskretne IGBT STMicroelectronics

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	375 W
Typ opakowania:	TO-3P
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.8 x 5 x 20.1mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 8294666, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, STMicroelectronics, STGWT60H65DFB

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 12,973*

Cena obowiązuje od 7 500 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 22,471*	PLN 27,639	za szt.
od 5 szt.	PLN 20,88*	PLN 25,682	za szt.
od 10 szt.	PLN 18,595*	PLN 22,872	za szt.
od 20 szt.	PLN 17,715*	PLN 21,789	za szt.
od 25 szt.	PLN 15,941*	PLN 19,607	za szt.
od 50 szt.	PLN 14,753*	PLN 18,146	za szt.
od 7500 szt.	PLN 12,973*	PLN 15,957	za szt.