IGBT Ic 40 A Uce 650 V TO-3PN Pojedynczy kanał: N 349 W

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8648782

Producent:
onsemi

Nr producenta:
FGA40N65SMD

EAN/GTIN:
5059042626001

Słowa kluczowe:

Dyskretne Fairchild Semiconductor

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	40 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	349 W
Typ opakowania:	TO-3PN
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	16.2 x 5 x 20.1mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 8648782, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, FGA40N65SMD

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 21,916*

Cena obowiązuje od 3 000 opakowania

1 opakowanie zawiera 2 szt. (od PLN 10,958* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 44,46*	PLN 54,6858	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 44,22*	PLN 54,3906	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 43,40*	PLN 53,382	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 34,542*	PLN 42,48666	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 33,672*	PLN 41,41656	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 29,372*	PLN 36,12756	za opakowanie
od 225 opakowania	PLN 27,718*	PLN 34,09314	za opakowanie
od 450 opakowania	PLN 25,026*	PLN 30,78198	za opakowanie
od 3000 opakowania	PLN 21,916*	PLN 26,95668	za opakowanie