IGBT Ic 80 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 555 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8648855

Producent:
onsemi

Nr producenta:
FGH40T120SMD

EAN/GTIN:
5059042649765

Słowa kluczowe:

Dyskretne Fairchild Semiconductor - tranzystory IGBT

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±25V
Maksymalna strata mocy:	555 W
Typ opakowania:	TO-247
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.87 x 4.82 x 20.82mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 8648855, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, FGH40T120SMD

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 15,823*

Cena obowiązuje od 7 500 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 20,103*	PLN 24,727	za szt.
od 5 szt.	PLN 19,833*	PLN 24,395	za szt.
od 10 szt.	PLN 19,593*	PLN 24,099	za szt.
od 20 szt.	PLN 18,803*	PLN 23,128	za szt.
od 50 szt.	PLN 18,113*	PLN 22,279	za szt.
od 7500 szt.	PLN 15,823*	PLN 19,462	za szt.