Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Nr artykułu:
     8WVXN-BGH50N65HS1
Producent:
     BASiC SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     BGH50N65HS1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
Montaż: THT
Obudowa: TO247-3
Napięcie kolektor-emiter: 650V
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 50A
Prąd kolektora w impulsie: 200A
Czas załączania: 54ns
Czas wyłączania: 256ns
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 357W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: integrated anti-parallel diode
Ładunek bramki: 308nC
Technologia: Trench;Field Stop;SiC SBD
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 32,63*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 58,38*
PLN 71,81
za szt.
od 2 szt.
PLN 57,80*
PLN 71,09
za szt.
od 5 szt.
PLN 50,16*
PLN 61,70
za szt.
od 10 szt.
PLN 48,60*
PLN 59,78
za szt.
od 20 szt.
PLN 47,58*
PLN 58,52
za szt.
od 30 szt.
PLN 42,03*
PLN 51,70
za szt.
od 150 szt.
PLN 37,13*
PLN 45,67
za szt.
od 3000 szt.
PLN 32,63*
PLN 40,13
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.