Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Nr artykułu:
     8WVXN-BGH50N65ZF1
Producent:
     BASiC SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     BGH50N65ZF1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
Montaż: THT
Obudowa: TO247-4
Napięcie kolektor-emiter: 650V
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 50A
Prąd kolektora w impulsie: 200A
Czas załączania: 54ns
Czas wyłączania: 476ns
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 357W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: integrated anti-parallel diode
Ładunek bramki: 308nC
Technologia: Trench;Field Stop;SiC SBD
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 29,40*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 51,09*
PLN 62,84
za szt.
od 2 szt.
PLN 51,02*
PLN 62,75
za szt.
od 5 szt.
PLN 44,80*
PLN 55,10
za szt.
od 10 szt.
PLN 43,25*
PLN 53,20
za szt.
od 20 szt.
PLN 42,64*
PLN 52,45
za szt.
od 30 szt.
PLN 37,68*
PLN 46,35
za szt.
od 150 szt.
PLN 33,68*
PLN 41,43
za szt.
od 3000 szt.
PLN 29,40*
PLN 36,16
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.